Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 64 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

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RS 库存编号:
919-4797
制造商零件编号:
IRFZ48NPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

64A

最大漏源电压 Vd

55V

系列

HEXFET

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

14mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

81nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

1.3V

最大功耗 Pd

130W

最高工作温度

175°C

长度

10.54mm

标准/认证

No

高度

8.77mm

宽度

4.69 mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，64A 最大连续漏极电流，130W 最大功率耗散 - IRFZ48NPBF


这款功率 MOSFET 适合高效率应用，具有强大的性能和先进的处理方法。它为各种电子设计提供了可靠的选择，尤其是在对电源效率要求极高的情况下。

特点和优势


• 支持高达 64A 的连续漏极电流

• 利用增强模式改善开关特性

• 14mΩ 的低 RDS（on）提高了效率

• 可在 -55°C 至 +175°C 的温度范围内可靠运行

• 可处理高达 ±20V 的栅极源极电压

• 完全符合雪崩防护等级，可确保瞬态条件下的安全

应用


• 驱动自动化系统中的电感负载

• 工业设备中的电源管理电路

• 汽车电气系统和电源转换器

• 直流-直流转换器和电源

• 电机控制 要求高效率

最大功率耗散能力是多少？


在充分冷却的情况下，该器件可管理 130 W 的最大功率耗散，确保在高负载情况下实现有效的热管理。

工作温度范围对性能有何影响？


该设备的工作温度范围宽广，从 -55°C 到 +175°C 不等，可在各种环境条件下可靠运行。

该设备是否与标准 PCB 布局兼容？


是的，它采用 TO-220AB 封装，这种封装通常用于工业领域，可直接安装在 PCB 上并高效散热。

这种元件的快速开关速度对哪些应用最有利？


具有快速开关能力的功率 MOSFET 是开关模式电源和高频转换器等应用的理想之选，在这些应用中，低开关损耗至关重要。

安装时应如何处理设备？


在安装过程中，确保正确的安装扭矩，避免焊接温度过高。建议遵守标准安全准则，以防损坏。