Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 47 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 919-4814
- 制造商零件编号:
- IRLZ44NPBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB4.246 | RMB212.30 |
| 100 - 150 | RMB4.14 | RMB207.00 |
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| 500 + | RMB3.935 | RMB196.75 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 919-4814
- 制造商零件编号:
- IRLZ44NPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 47A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 22mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 110W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 48nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 10.54mm | |
| 高度 | 8.77mm | |
| 宽度 | 4.69 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 47A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 22mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 110W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 48nC | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 10.54mm | ||
高度 8.77mm | ||
宽度 4.69 mm | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，47A 最大连续漏极电流，110W 最大功率耗散 - IRLZ44NPBF
英飞凌的这款高性能 N 沟道 MOSFET 专为电子系统中的高效开关和大功率处理而设计。它采用先进的 HEXFET 技术，可满足各种半导体应用的需要，适合自动化、电子和电气工程领域追求电源管理强大性能的专业人士使用。
特点和优势
• 支持高达 47A 的连续耗尽电流，可有效提供电源
• 工作电压为 55V，提高了应用的多样性
• 110 瓦的最大功率耗散优化了散热管理
• 增强模式设计确保有效切换和控制
• 1V 至 2V 的低栅极阈值电压范围有利于使用最小驱动电压进行控制
• 高电流处理能力和 22mΩ 的低导通电阻提高了效率
应用
• 需要高效负载开关的电源电路
• 可再生能源系统中的直流-直流转换器
• 汽车 高性能要求
• 提高运行效率的电机控制系统
• 需要精确功率调节的照明系统
设备的工作温度范围是多少？
该设备可在 -55°C 至 +175°C 的温度范围内有效工作，确保了在各种环境条件下的可靠性。
如何安装才能达到最佳性能？
它采用 TO-220AB 封装，专为通孔安装而设计，可在运行期间有效散热。
它能与其他电源管理组件一起使用吗？
是的，它与一系列电源管理和开关元件兼容，可无缝集成到各种电路设计中。
栅极阈值电压范围有什么影响？
栅极阈值电压为 1V 至 2V，便于使用标准信号电平进行驱动，从而简化了电路设计并提高了兼容性。
它适合高频应用吗？
它在 5V 电压下的栅极电荷低至 48nC，支持高频开关应用，有助于提高电源系统的整体效率。