STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 400 mA, SOT-223, 表面安装, 4引脚, MDmesh, SuperMESH系列
- RS 库存编号:
- 920-6591
- 制造商零件编号:
- STN1HNK60
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 卷，共 4000 件）*
¥11,284.00
(不含税)
¥12,752.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年6月09日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 4000 - 16000 | RMB2.821 | RMB11,284.00 |
| 20000 + | RMB2.539 | RMB10,156.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 920-6591
- 制造商零件编号:
- STN1HNK60
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 400mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | MDmesh, SuperMESH | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 8.5Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 最大功耗 Pd | 3.3W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 7nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 3.5 mm | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 高度 | 1.8mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 400mA | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 MDmesh, SuperMESH | ||
包装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 8.5Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
最大功耗 Pd 3.3W | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 3.5 mm | ||
长度 6.5mm | ||
高度 1.8mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||