Infineon EB 2ED2410 3D 1BCD, MOSFET栅极驱动器 评估测试板, Gate Driver, Power MOSFET芯片
- RS 库存编号:
- 273-2059
- 制造商零件编号:
- EB2ED24103D1BCDTOBO1
- 制造商:
- Infineon
小计（1 件）*
¥869.92
(不含税)
¥983.01
(含税)
库存信息目前无法查询
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 + | RMB869.92 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-2059
- 制造商零件编号:
- EB2ED24103D1BCDTOBO1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 电源管理功能 | MOSFET栅极驱动器 | |
| 适用于 | 评估母板/子板用户指南 | |
| 套件分类 | 评估测试板 | |
| 功能完备的设备 | Gate Driver, Power MOSFET | |
| 套件名称 | EB 2ED2410 3D 1BCD | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
电源管理功能 MOSFET栅极驱动器 | ||
适用于 评估母板/子板用户指南 | ||
套件分类 评估测试板 | ||
功能完备的设备 Gate Driver, Power MOSFET | ||
套件名称 EB 2ED2410 3D 1BCD | ||
EiceDRIVER™ APD 2ED2410-EM - 24 V MOSFET 评估子板，共漏极
该子板属于评估板系列，可与 2ED2410-EM 24 V 评估主板 (EB 2ED2410 3M) 组合。 这些子板用于处理现代汽车配电中常见的不同 MOSFET 和分流安排，适合于 12 V 和 24 V 板网。
该子板 EB 2ED2410 3D 1BCD 采用背靠背共漏极配置，由两个 60 V OptiMOSTM5 功率 MOSFET (1.1 mOhm) 组成，可处理一个负载通道。
该子板 EB 2ED2410 3D 1BCD 采用背靠背共漏极配置，由两个 60 V OptiMOSTM5 功率 MOSFET (1.1 mOhm) 组成，可处理一个负载通道。
可以提供的其他子板如下:
• EB 2ED2410 3D 1BCS：60 V OptiMOSTM5 功率 MOSFET（1.1 mOhm），背靠背 - 共源极，0.5 mOhm 分流
• EB 2ED2410 3D 1BCDP：60 V OptiMOSTM5 功率 MOSFET（1.1 mOhm），背靠背 - 共漏极，0.5 mOhm 分流，预充电
• EB 2ED2410 3D 1BCSP：60 V OptiMOSTM5 功率 MOSFET（1.1 mOhm），背靠背 - 共源极，0.5 mOhm 分流，预充电
• EB 2ED2410 3D 1BCDP：60 V OptiMOSTM5 功率 MOSFET（1.1 mOhm），背靠背 - 共漏极，0.5 mOhm 分流，预充电
• EB 2ED2410 3D 1BCSP：60 V OptiMOSTM5 功率 MOSFET（1.1 mOhm），背靠背 - 共源极，0.5 mOhm 分流，预充电
功能摘要
• 适用于 12 和 24 V 板网
• 与 2ED2410-EM 24 V 评估主板 (EB 2ED2410 3M) 组合
• 0.5 mΩ 分流电阻
• 60 V OptiMOSTM5 功率 MOSFET (1.1 Ohm)，适用于 12 和 24 V 板网
• MOSFET 温度监控，带 NTC 电阻器
• 标称电流高达 20 A（连续）或 30 A（10 分钟）
• 与 2ED2410-EM 24 V 评估主板 (EB 2ED2410 3M) 组合
• 0.5 mΩ 分流电阻
• 60 V OptiMOSTM5 功率 MOSFET (1.1 Ohm)，适用于 12 和 24 V 板网
• MOSFET 温度监控，带 NTC 电阻器
• 标称电流高达 20 A（连续）或 30 A（10 分钟）