Infineon EB 2ED2410 3D 1BCS, MOSFET栅极驱动器 评估测试板, Gate Driver, Power MOSFET芯片
- RS 库存编号:
- 273-2061
- 制造商零件编号:
- EB2ED24103D1BCSTOBO1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 + | RMB869.92 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-2061
- 制造商零件编号:
- EB2ED24103D1BCSTOBO1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 电源管理功能 | MOSFET栅极驱动器 | |
| 适用于 | 2ED2410-EM 24 V 评估主板 | |
| 套件分类 | 评估测试板 | |
| 功能完备的设备 | Gate Driver, Power MOSFET | |
| 套件名称 | EB 2ED2410 3D 1BCS | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
电源管理功能 MOSFET栅极驱动器 | ||
适用于 2ED2410-EM 24 V 评估主板 | ||
套件分类 评估测试板 | ||
功能完备的设备 Gate Driver, Power MOSFET | ||
套件名称 EB 2ED2410 3D 1BCS | ||
EiceDRIVERTM APD 2ED2410-EM - 24 V 评估 MOSFET 子板,通用源
此子板属于评估板系列,可与 2ED2410-EM 24 V 评估主板 (EB 2ED2410 3M) 组合。这些子板用于处理 12 和 24 V 板电网的现代汽车电源分配中典型的不同 MOSFET 和分流配置。
此子板 EB 2ED2410 3D 1BCS 适用于单个负载通道,包含两个 60 V OptiMOSTM5 功率 MOSFET(1.1 mΩ),采用 back2back 共用源配置。
此子板 EB 2ED2410 3D 1BCS 适用于单个负载通道,包含两个 60 V OptiMOSTM5 功率 MOSFET(1.1 mΩ),采用 back2back 共用源配置。
以下其他子板提供:
• EB 2ED2410 3D 1BCD: 60 V OptiMOSTM5 電源 MOSFET (1.1 mOhm), back2back - 通用排水, 0.5 mOhm shunt
• EB 2ED2410 3D 1BCDP: 60 V OptiMOSTM5 電源 MOSFET (1.1 mOhm), 背2背 - 通用排水, 0.5 mOhm 搖滾, 配有預充電
• EB 2ED2410 3D 1BCSP: 60 V OptiMOSTM5 电源 MOSFET (1.1 mOhm), 背2背 - 通用电源, 0.5 mOhm 扳机, 配有预充电
• EB 2ED2410 3D 1BCDP: 60 V OptiMOSTM5 電源 MOSFET (1.1 mOhm), 背2背 - 通用排水, 0.5 mOhm 搖滾, 配有預充電
• EB 2ED2410 3D 1BCSP: 60 V OptiMOSTM5 电源 MOSFET (1.1 mOhm), 背2背 - 通用电源, 0.5 mOhm 扳机, 配有预充电
功能摘要
• 适用于 12 和 24 V 板电网
• 与 2ED2410-EM 24 V 评估主板 (EB 2ED2410 3M) 组合
• 0.5 mΩ 分流电阻器
• 60 V OptiMOSTM5 功率 MOSFET (1.1 Ω),适用于 12 和 24 V 板电网
• MOSFET 温度监控,带 NTC 电阻器
• 额定电流高达 20 A 连续或 30 A 10 分钟
• 与 2ED2410-EM 24 V 评估主板 (EB 2ED2410 3M) 组合
• 0.5 mΩ 分流电阻器
• 60 V OptiMOSTM5 功率 MOSFET (1.1 Ω),适用于 12 和 24 V 板电网
• MOSFET 温度监控,带 NTC 电阻器
• 额定电流高达 20 A 连续或 30 A 10 分钟
