半导体

半导体是一种导电性能介于导体和绝缘体之间的特殊材料，其电阻率在10⁻³到10⁸欧姆·厘米范围内。这种独特的电学特性使其成为现代电子工业的基石。

半导体的核心特性是导电性可控——通过掺入特定杂质（掺杂）可精确调节其导电能力，并能通过外部电场、光照、温度等因素改变其导电状态。这一特性源于其独特的能带结构：价带和导带之间存在禁带宽度，电子需要能量才能跃迁到导带参与导电。

基于这些特性，半导体材料（主要是硅）被制成二极管、晶体管、集成电路等核心元件，实现信号的放大、开关、整流等功能。从智能手机到超级计算机，从家电到航天器，几乎所有电子设备都依赖半导体技术。此外，砷化镓、氮化镓等化合物半导体在光电子、高频器件等特殊领域发挥着不可替代的作用。

半导体的工作原理

  • 能带理论原理：价带电子受激发跃迁至导带，形成电子-空穴对，产生导电能力。
  • 掺杂控制原理：通过掺入III/V族元素形成P型（空穴主导）或N型（电子主导）半导体。
  • PN结单向导电：P型与N型结合形成耗尽层，正向偏压降低势垒导通，反向偏压增大势垒截止。
  • 场效应原理：栅极电压控制沟道载流子浓度，实现电流通断的电压控制型开关。
  • 光电效应原理：光照激发电子跃迁，光敏半导体将光信号转换为电信号。
  • 热电效应原理：利用塞贝克效应将热能直接转换为电能，实现温差发电。
  • 霍尔效应原理：磁场使运动电荷偏转，在半导体两侧产生电势差，用于磁感应检测。
  • 量子隧穿效应：纳米尺度下电子穿越势垒，构成闪存等量子器件的物理基础。

半导体的特点

  • 导电可控性：通过掺杂和外部场强可精确调节导电性能，实现开关功能。
  • 温度敏感性：导电性随温度升高而增强，具有负电阻温度系数特性。
  • 光电特性：具备光电转换能力，可实现光探测、发光和能量转换功能。
  • 微型化能力：采用平面工艺可制造纳米级器件，集成度每18-24个月翻倍。
  • 功耗优势：CMOS电路静态功耗极低，适合电池供电的便携设备。
  • 可靠性高：固态器件无机械磨损，寿命可达数十年。
  • 制造精密：采用光刻技术，加工精度达纳米级，需超净环境生产。
  • 材料多样性：硅、锗元素半导体与III-V族化合物半导体各具特色。

半导体的类型

  • 元素半导体：硅、锗等单一元素构成，硅因氧化特性成为主流材料。
  • 化合物半导体：砷化镓、氮化镓等III-V族化合物，适用于高频光电器件。
  • 有机半导体：聚噻吩等聚合物材料，具备柔性和溶液加工优势。
  • 氧化物半导体：氧化锌、氧化铟镓锌等，适用于透明柔性电子。
  • 磁性半导体：掺锰砷化镓等兼具磁性和半导体特性。
  • 低维半导体：量子点、纳米线等纳米结构呈现量子限域效应。
  • 宽禁带半导体：碳化硅、氮化镓耐高压高温，适用于功率电子。
  • 非晶半导体：非晶硅用于太阳能电池和液晶显示薄膜晶体管。

半导体的应用领域

  • 集成电路：CPU、存储器等微芯片构成计算机和智能设备核心。
  • 功率电子：IGBT、MOSFET等用于变频器、电动汽车电力转换。
  • 光电器件：LED照明、激光器、光伏电池实现光-电转换应用。
  • 传感器技术：CMOS图像传感器、MEMS传感器实现环境感知。
  • 通信设备：射频芯片、光通信器件支撑5G和光纤网络。
  • 显示技术：TFT-LCD、OLED驱动芯片实现图像显示功能。
  • 汽车电子：ECU、雷达芯片推动自动驾驶技术发展。
  • 物联网设备：低功耗芯片支撑智能终端互联与边缘计算。

如何选择半导体

  • 根据性能需求选择材料类型：硅基半导体适用于大多数逻辑和存储芯片；需要高频特性时选择砷化镓；功率器件优先考虑碳化硅或氮化镓；柔性电子设备可选用有机半导体。同时需评估载流子迁移率、禁带宽度等本征参数是否满足应用场景要求。
  • 依据工作环境确定耐受特性：高温环境（>150℃）选择宽禁带半导体；高辐射场景选用特殊封装或SOI结构；汽车电子必须符合AEC-Q100标准；消费类产品重点关注ESD防护等级。需确保半导体器件的可靠性指标超过实际使用条件的30%安全余量。
  • 匹配电路系统的电压电流规格：功率器件耐压值应为工作电压的2-3倍；驱动能力需满足峰值电流需求；数字电路选择合适逻辑电平（1.8V/3.3V/5V）；射频电路注意阻抗匹配特性。同时评估散热需求，确保结温不超过最大额定值的80%。
  • 平衡成本与供应链稳定性：量产产品优先选择标准化器件；特殊需求考虑ASIC定制但需承担NRE费用；避免使用即将停产器件；关键部件应保证第二货源。通过价值工程分析，在性能相当情况下选择更具成本优势的解决方案。
  • 评估封装形式与集成度需求：空间受限场景选用QFN/BGA封装；高功率应用采用TO封装带散热基板；系统级封装可减少外围元件；物联网设备优先选择集成无线功能的SoC。同时考虑引脚数量、焊接工艺兼容性和维修便利性。

更多半导体相关的问题，请查看半导体指南。

欢迎查看和订购RS的半导体相关产品，订购现货24小时内发货，线上下单满额免运费。

传感器 IC
传感器 IC
分立半导体
分立半导体
可编程逻辑IC
可编程逻辑IC
处理器和微控制器
处理器和微控制器
存储器芯片
存储器芯片
接口 IC
接口 IC
放大器和比较器
放大器和比较器
数据转换器
数据转换器
时钟， 定时和频率IC
时钟， 定时和频率IC
电源管理 IC
电源管理 IC
芯片编程器和调试器
芯片编程器和调试器
通信和无线模块 IC
通信和无线模块 IC
逻辑IC
逻辑IC
音频和视频集成电路
音频和视频集成电路

112406 产品显示为 半导体

1866 的 999+
Microchip N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=100 V, 0.73 A, SOT-89, 表面安装, 3引脚, TN2510N8-G, TN2510系列
  • RS 库存编号 649-584
  • 制造商零件编号 TN2510N8-G
个
RMB7.62(不含税)
Microchip P型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=80 V, 280 mA, TO-92, 通孔安装, 3引脚, VP0808L-G, VP0808系列
  • RS 库存编号 649-535
  • 制造商零件编号 VP0808L-G
个（每托盘 5 ）
RMB10.71(不含税)
Microchip N型沟道 消耗型 单 MOSFET, Vds=250 V, 360 mA, SOT-89, 表面安装, 3引脚, DN3525N8-G, DN3525系列
  • RS 库存编号 649-455
  • 制造商零件编号 DN3525N8-G
个
RMB7.18(不含税)
onsemi N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=40 V, 195 A, DFNW-5, 表面安装, 5引脚, NVMFWS1D3N04XMT1G, NVM系列
  • RS 库存编号 648-511
  • 制造商零件编号 NVMFWS1D3N04XMT1G
个
RMB13.256(不含税)
ROHM N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=40 V, 135 A, HSMT-8, 表面安装, 8引脚, RH6G040CHTB1, RH6G04系列
  • RS 库存编号 646-632
  • 制造商零件编号 RH6G040CHTB1
个
RMB6.839(不含税)
onsemi ACT逻辑复用器, 贴片安装, SOIC, 每逻辑门4输入, 16p, 最大5.5 V
  • RS 库存编号 186-8343
  • 制造商零件编号 MC74ACT153DG
个（每托盘 25 ）
RMB5.392(不含税)
ROHM P型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=60 V, TO-252, 表面安装, 3引脚, RD3L03BBJHRBTL, RD3系列
  • RS 库存编号 646-543
  • 制造商零件编号 RD3L03BBJHRBTL
个
RMB5.956(不含税)
Microchip N 沟道垂直 DMOS FET沟道 增强模式型 单 MOSFET, Vds=40 V, 450 mA, TO-92-3 (TO-226AA), 通孔安装, 3引脚, TN2435N8-G
  • RS 库存编号 599-109
  • 制造商零件编号 TN2435N8-G
个（每带 2000 ）
RMB8.516(不含税)
Microchip N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, TO-92, 表面安装, 3引脚, VN0104N3-G, VN0104系列
  • RS 库存编号 598-978
  • 制造商零件编号 VN0104N3-G
个 (以毎袋：1000)
RMB3.975(不含税)
Microchip N 沟道 DMOS FET沟道 耗尽模式型 单 MOSFET, Vds=9 V, 350 mA, SOT-23-5, 表面安装, 5引脚, LND250K1-G
  • RS 库存编号 598-794
  • 制造商零件编号 LND250K1-G
个（每带 3000 ）
RMB4.731(不含税)
Microchip N 沟道垂直 DMOS FET沟道 增强模式型 单 MOSFET, Vds=40 V, 450 mA, TO-92-3 (TO-226AA), 通孔安装, 3引脚, TN0620N3-G
  • RS 库存编号 598-650
  • 制造商零件编号 TN0620N3-G
个 (以毎袋：1000)
RMB8.246(不含税)
ROHM P型沟道 P型 MOSFET, Vds=40 V, 35 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, RD3G03BATTL1, RD3G03BAT系列
  • RS 库存编号 223-6277P
  • 制造商零件编号 RD3G03BATTL1
个 (以每卷装提供)
RMB8.897(不含税)
Microchip N 沟道垂直 DMOS FET沟道 增强模式型 单 MOSFET, Vds=40 V, 450 mA, TO-92-3 (TO-226AA), 通孔安装, 3引脚, TN2425N8-G
  • RS 库存编号 598-189
  • 制造商零件编号 TN2425N8-G
个（每带 2000 ）
RMB8.651(不含税)
Microchip N 沟道垂直 DMOS FET沟道 增强模式型 单 MOSFET, Vds=40 V, 450 mA, TO-92-3 (TO-226AA), 通孔安装, 3引脚, TN2504N8-G
  • RS 库存编号 598-144
  • 制造商零件编号 TN2504N8-G
个（每带 2000 ）
RMB7.164(不含税)
Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 20 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, PHP20N06T,127, PHP20N06T系列
  • RS 库存编号 509-112
  • 制造商零件编号 PHP20N06T,127
个（每托盘 5 ）
RMB9.48(不含税)
Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 455 A, PG-HSOF-5-1, 表面安装, 5引脚, IAUAN04S7N005AUMA1, IAUAN04S7N005系列
  • RS 库存编号 349-272
  • 制造商零件编号 IAUAN04S7N005AUMA1
个（每托盘 5 ）
RMB22.668(不含税)
ROHM 表面, 15 A, 30 V, TO-252, 肖特基二极管整流器, 3引脚 二极管, 2 x 共阴极对
  • RS 库存编号 223-6263P
  • 制造商零件编号 RBR15BGE30ATL
个 (以每卷装提供)
RMB9.746(不含税)
Renesas Electronics , CMOS逻辑
  • RS 库存编号 264-0625P
  • 制造商零件编号 ISL32472EIBZ
个 (以每管装提供)
RMB29.185(不含税)
Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 107 A, PG-TO263-7, 表面安装, 7引脚, IMBG120R017M2HXTMA1, IMB系列
  • RS 库存编号 349-095
  • 制造商零件编号 IMBG120R017M2HXTMA1
个
RMB202.74(不含税)
Renesas Electronics , CMOS逻辑
  • RS 库存编号 264-0623P
  • 制造商零件编号 ISL32277EIRZ
个 (以每管装提供)
RMB18.876(不含税)
1
1866
5621
每页结果数

相关链接