54349 产品显示为 分立半导体
- RS 库存编号 252-0308
- 制造商零件编号 SQJQ184ER-T1_GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 430A
- 最大漏源电压 Vd 80V
个(每带 2000 )
RMB18.927(不含税)
- RS 库存编号 252-0306
- 制造商零件编号 SQJ184EP-T1_GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 118A
- 最大漏源电压 Vd 30V
个(每带 3000 )
RMB3.83(不含税)
- RS 库存编号 252-0301
- 制造商零件编号 SQA413CEJW-T1_GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 P型
- 最大连续漏极电流 Id 7.5A
- 最大漏源电压 Vd 20V
个(每带 3000 )
RMB1.071(不含税)
- RS 库存编号 252-0299
- 制造商零件编号 SQA411CEJW-T1_GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 P型
- 最大连续漏极电流 Id 6.46A
- 最大漏源电压 Vd 60V
个(每带 3000 )
RMB1.338(不含税)
- RS 库存编号 252-0296
- 制造商零件编号 SIZF640DT-T1-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 159A
- 最大漏源电压 Vd 40V
个(每带 3000 )
RMB12.043(不含税)
- RS 库存编号 252-0290
- 制造商零件编号 SISA18BDN-T1-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 44.4A
- 最大漏源电压 Vd 60V
个(每带 3000 )
RMB2.113(不含税)
- RS 库存编号 252-0288
- 制造商零件编号 SIS4608LDN-T1-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 36.2A
- 最大漏源电压 Vd 60V
个(每带 3000 )
RMB2.811(不含税)
- RS 库存编号 252-0286
- 制造商零件编号 SIS4608DN-T1-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 35.7A
- 最大漏源电压 Vd 60V
个(每带 3000 )
RMB2.543(不含税)
- RS 库存编号 252-0284
- 制造商零件编号 SIS4604LDN-T1-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 45.9A
- 最大漏源电压 Vd 60V
个(每带 3000 )
RMB3.078(不含税)
- RS 库存编号 252-0282
- 制造商零件编号 SIS4604DN-T1-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 44.4A
- 最大漏源电压 Vd 60V
个(每带 3000 )
RMB2.811(不含税)
- RS 库存编号 252-0279
- 制造商零件编号 SIR4608LDP-T1-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 43.4A
- 最大漏源电压 Vd 60V
个(每带 3000 )
RMB4.245(不含税)
- RS 库存编号 252-0277
- 制造商零件编号 SIR4608DP-T1-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 42.8A
- 最大漏源电压 Vd 60V
个(每带 3000 )
RMB3.986(不含税)
- RS 库存编号 252-0274
- 制造商零件编号 SIR4604LDP-T1-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 51A
- 最大漏源电压 Vd 60V
个(每带 3000 )
RMB4.939(不含税)
- RS 库存编号 252-0272
- 制造商零件编号 SIR4604DP-T1-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 49.3A
- 最大漏源电压 Vd 60V
个(每带 3000 )
RMB5.371(不含税)
- RS 库存编号 252-0270
- 制造商零件编号 SIR1309DP-T1-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 P型
- 最大连续漏极电流 Id 65.7A
- 最大漏源电压 Vd 60V
个(每带 3000 )
RMB2.86(不含税)
- RS 库存编号 252-0267
- 制造商零件编号 SIHK185N60E-T1-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 19A
- 最大漏源电压 Vd 650V
个(每带 2000 )
RMB18.806(不含税)
- RS 库存编号 252-0265
- 制造商零件编号 SIHK075N60EF-T1GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET & 二极管
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 33A
- 最大漏源电压 Vd 650V
个(每带 2000 )
RMB29.952(不含税)
- RS 库存编号 252-0263
- 制造商零件编号 SIHK055N60EF-T1GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET & 二极管
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 40A
- 最大漏源电压 Vd 650V
个(每带 2000 )
RMB35.048(不含税)
- RS 库存编号 252-0261
- 制造商零件编号 SIDR610EP-T1-RE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 39.6A
- 最大漏源电压 Vd 30V
个(每带 3000 )
RMB16.114(不含税)
- RS 库存编号 252-0259
- 制造商零件编号 SIDR5802EP-T1-RE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 153A
- 最大漏源电压 Vd 30V
个(每带 3000 )
RMB11.09(不含税)



















