54348 产品显示为 分立半导体
- RS 库存编号 202-4809P
- 制造商零件编号 STD13N60M6
- 品牌 STMicroelectronics
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 10A
- 最大漏源电压 Vd 480V
个 (以每卷装提供)
RMB10.806(不含税)
- RS 库存编号 759-9175P
- 制造商零件编号 FDP12N60NZ
- 品牌 onsemi
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 12A
- 最大漏源电压 Vd 600V
个 (以每管装提供)
RMB12.19(不含税)
- RS 库存编号 168-7309
- 制造商零件编号 SMBJ6.0CA-TR
- 品牌 STMicroelectronics
- 二极管配置 单路
- 方向类型 双向
- 最大钳位电压 13.7V
- 最小击穿电压 6.7V
个（每带 2500 ）
RMB0.709(不含税)
- RS 库存编号 260-8893P
- 制造商零件编号 FF600R12IP4BOSA1
- 品牌 Infineon
- 最大连续集电极电流 600 A
- 最大集电极-发射极电压 1200 V
- 最大栅极发射极电压 ±20V
- 晶体管数 2
个 (以每托盘提供)
RMB3,113.74(不含税)
- RS 库存编号 256-7363P
- 制造商零件编号 SI4948BEY-T1-E3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 2.4A
- 最大漏源电压 Vd 60V
个 (以每卷装提供)
RMB8.286(不含税)
- RS 库存编号 822-2659P
- 制造商零件编号 DPLS160-7
- 品牌 DiodesZetex
- 晶体管类型 PNP
- 最大直流集电极电流 -1 A
- 最大集电极-发射极电压 -60 V
- 封装类型 SOT-23
个 (以每卷装提供)
RMB1.22(不含税)
- RS 库存编号 154-942
- 制造商零件编号 ZXM61P02FTA
- 品牌 DiodesZetex
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 P型
- 最大连续漏极电流 Id 900mA
- 最大漏源电压 Vd 20V
个（每托盘 25 ）
RMB1.678(不含税)
- RS 库存编号 178-3920P
- 制造商零件编号 SiSS12DN-T1-GE3
- 品牌 Vishay Siliconix
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 60A
- 最大漏源电压 Vd 40V
个 (以每卷装提供)
RMB5.503(不含税)
- RS 库存编号 223-6209
- 制造商零件编号 R6025JNZC17
- 品牌 ROHM
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 25A
- 最大漏源电压 Vd 600V
个
RMB42.24(不含税)
- RS 库存编号 165-8821
- 制造商零件编号 BZT52C39-7-F
- 品牌 DiodesZetex
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 39V
- 安装类型 贴片
- 每片芯片元件数目 1
个（每带 3000 ）
RMB0.173(不含税)
- RS 库存编号 180-8190
- 制造商零件编号 1N5061TR
- 品牌 Vishay
- 标称齐纳电压 600V
- 安装类型 通孔
- 封装类型 SOD-57
- 齐纳类型 雪崩
个
RMB1.873(不含税)
- RS 库存编号 165-3042
- 制造商零件编号 TISP4C350H3BJR-S
- 品牌 Bourns
- 最大转折电压 350V
- 峰值通态电压 ±3V
- 最大保持电流 600mA
- 重复峰值正向阻断电压 ±275V
个（每带 3000 ）
RMB3.431(不含税)
- RS 库存编号 171-2411
- 制造商零件编号 T2N7002BK
- 品牌 Toshiba
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 400mA
- 最大漏源电压 Vd 60V
个（每带 3000 ）
RMB0.181(不含税)
- RS 库存编号 802-4552
- 制造商零件编号 MM3Z10VST1G
- 品牌 onsemi
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 10V
- 安装类型 贴片
- 每片芯片元件数目 1
个（每托盘 200 ）
RMB0.232(不含税)
- RS 库存编号 246-3950
- 制造商零件编号 RGT60TS65DGC13
- 品牌 ROHM
- 最大连续集电极电流 55
- 最大集电极-发射极电压 650 V
- 最大栅极发射极电压 ±30V
- 晶体管数 1
每管：600 个
RMB35.487(不含税)
- RS 库存编号 177-5966
- 制造商零件编号 GBU607G TU
- 品牌 Fagor Electronica
- 峰值平均正向电流 6A
- 电桥类型 单相
- 峰值反向重复电压 1000V
- 安装类型 通孔
个
RMB2.36(不含税)
- RS 库存编号 688-9143P
- 制造商零件编号 NTR1P02T1G
- 品牌 onsemi
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 P型
- 最大连续漏极电流 Id 1A
- 最大漏源电压 Vd 20V
个 (以每卷装提供)
RMB0.965(不含税)
- RS 库存编号 103-3917
- 制造商零件编号 1N5347BRLG
- 品牌 onsemi
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 10V
- 安装类型 通孔
- 每片芯片元件数目 1
个（每带 4000 ）
RMB1.203(不含税)
- RS 库存编号 213-9317P
- 制造商零件编号 SMCJ75AQ-13-F
- 品牌 DiodesZetex
- 二极管配置 单路
- 方向类型 单向
- 最大钳位电压 121V
- 最小击穿电压 92.1V
个 (以每卷装提供)
RMB4.791(不含税)
- RS 库存编号 194-899
- 制造商零件编号 IXGH32N170
- 品牌 IXYS
- 最大连续集电极电流 75 A
- 最大集电极-发射极电压 1700 V
- 最大栅极发射极电压 ±20V
- 封装类型 TO-247AD
个
RMB150.68(不含税)