54348 产品显示为 分立半导体
- RS 库存编号 792-5492P
- 制造商零件编号 BAS21HT1G
- 品牌 onsemi
- 二极管配置 单路
- 安装类型 贴片
- 每片芯片元件数目 1
- 封装类型 SOD-323
个 (以每卷装提供)
RMB0.238(不含税)
- RS 库存编号 710-4216
- 制造商零件编号 BZT55C3V3-GS08
- 品牌 Vishay
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 3.3V
- 安装类型 贴片
- 每片芯片元件数目 1
个（每托盘 100 ）
RMB0.286(不含税)
- RS 库存编号 235-2765P
- 制造商零件编号 RGW80TS65HRC11
- 品牌 ROHM
- 最大连续集电极电流 40 A
- 最大集电极-发射极电压 650 V
- 最大栅极发射极电压 ±30V
- 晶体管数 1
个 (以每管装提供)
RMB26.365(不含税)
- RS 库存编号 279-9384
- 制造商零件编号 V12PM103HM3/I
- 品牌 Vishay
- 产品类型 整流器和肖特基二极管
- 安装类型 表面
- 包装类型 SMPC（TO-277A）
- 最大连续正向电流 If 12A
个（每带 6500 ）
RMB3.386(不含税)
- RS 库存编号 279-9949P
- 制造商零件编号 SIR5211DP-T1-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 P型
- 最大连续漏极电流 Id 105A
- 最大漏源电压 Vd 20V
个 (以每卷装提供)
RMB10.152(不含税)
- RS 库存编号 215-2590P
- 制造商零件编号 IRF8910TRPBF
- 品牌 Infineon
- 产品类型 功率 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 10A
- 最大漏源电压 Vd 20V
个 (以每卷装提供)
RMB4.571(不含税)
- RS 库存编号 215-2588P
- 制造商零件编号 IRF8734TRPBF
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 21A
- 最大漏源电压 Vd 30V
个 (以每卷装提供)
RMB4.292(不含税)
- RS 库存编号 235-2736P
- 制造商零件编号 RGTV80TK65DGVC11
- 品牌 ROHM
- 最大连续集电极电流 23 A
- 最大集电极-发射极电压 650 V
- 最大栅极发射极电压 ±30V
- 晶体管数 1
个 (以每管装提供)
RMB28.89(不含税)
- RS 库存编号 246-7517P
- 制造商零件编号 DMN3055LFDBQ-7
- 品牌 DiodesZetex
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大漏源电压 Vd 30V
- 包装类型 UDFN-2020
个 (以每卷装提供)
RMB2.058(不含税)
- RS 库存编号 235-2728P
- 制造商零件编号 RGSX5TS65EGC11
- 品牌 ROHM
- 最大连续集电极电流 75 A
- 最大集电极-发射极电压 650 V
- 最大栅极发射极电压 ±30V
- 晶体管数 1
个 (以每管装提供)
RMB38.92(不含税)
- RS 库存编号 235-2726P
- 制造商零件编号 RGSX5TS65DHRC11
- 品牌 ROHM
- 最大连续集电极电流 75 A
- 最大集电极-发射极电压 650 V
- 最大栅极发射极电压 ±30V
- 晶体管数 1
个 (以每管装提供)
RMB77.06(不含税)
- RS 库存编号 259-2724P
- 制造商零件编号 FF2400RB12IP7BPSA1
- 品牌 Infineon
- 最大连续集电极电流 2.4 kA
- 最大集电极-发射极电压 1200 V
- 最大栅极发射极电压 ±20V
- 最大功率耗散 20 mW
个 (以每托盘提供)
RMB9,417.37(不含税)
- RS 库存编号 235-2718P
- 制造商零件编号 RBR1VWM40ATR
- 品牌 ROHM
- 产品类型 整流器和肖特基二极管
- 安装类型 表面
- 包装类型 PMDE
- 最大连续正向电流 If 1A
个 (以每卷装提供)
RMB2.626(不含税)
- RS 库存编号 189-4432
- 制造商零件编号 STPS5L60
- 品牌 STMicroelectronics
- 产品类型 二极管
- 安装类型 通孔
- 包装类型 DO-201AD
- 最大连续正向电流 If 5A
个（每托盘 25 ）
RMB2.024(不含税)
- RS 库存编号 259-2633P
- 制造商零件编号 IPF039N08NF2SATMA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 126A
- 最大漏源电压 Vd 80V
个 (以每卷装提供)
RMB22.285(不含税)
- RS 库存编号 259-2626P
- 制造商零件编号 IPF023N08NF2SATMA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 209A
- 最大漏源电压 Vd 80V
个 (以每卷装提供)
RMB27.67(不含税)
- RS 库存编号 244-5223P
- 制造商零件编号 SMAJ100CA
- 品牌 Bourns
- 二极管配置 串行
- 方向类型 双向
- 最大钳位电压 162V
- 最小击穿电压 123V
个 (以每卷装提供)
RMB1.518(不含税)
- RS 库存编号 215-2556P
- 制造商零件编号 IPT60R050G7XTMA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 44A
- 最大漏源电压 Vd 600V
个 (以每卷装提供)
RMB58.885(不含税)
- RS 库存编号 259-2581P
- 制造商零件编号 IPB026N10NF2SATMA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 162A
- 最大漏源电压 Vd 100V
个 (以每卷装提供)
RMB29.71(不含税)