54281 产品显示为 分立半导体
- RS 库存编号 687-3832
- 制造商零件编号 P6KE15CA
- 品牌 Taiwan Semiconductor
- 二极管配置 单路
- 方向类型 双向
- 最大钳位电压 21.2V
- 最小击穿电压 14.3V
个（每托盘 20 ）
RMB2.597(不含税)
- RS 库存编号 124-2251
- 制造商零件编号 SIHH26N60E-T1-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 25A
- 最大漏源电压 Vd 600V
个
RMB38.57(不含税)
- RS 库存编号 260-5127P
- 制造商零件编号 IPD110N12N3GATMA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 75A
- 包装类型 TO-252
个 (以每卷装提供)
RMB16.00(不含税)
- RS 库存编号 739-0423
- 制造商零件编号 KSB772YSTU
- 品牌 onsemi
- 晶体管类型 PNP
- 最大直流集电极电流 -3 A
- 最大集电极-发射极电压 -30 V
- 封装类型 TO-126
个（每托盘 5 ）
RMB3.204(不含税)
- RS 库存编号 700-3958P
- 制造商零件编号 BYM13-40-E3/96
- 品牌 Vishay
- 产品类型 二极管
- 安装类型 表面
- 包装类型 DO-213AB
- 最大连续正向电流 If 1A
个 (以每带装提供)
RMB2.12(不含税)
- RS 库存编号 202-5566
- 制造商零件编号 T3035H-8G-TR
- 品牌 STMicroelectronics
- 额定平均通态电流 30A
- 安装类型 通孔
- 封装类型 D²PAK
- 最大栅极触发电流 35mA
个（每带 1000 ）
RMB11.677(不含税)
- RS 库存编号 168-6099
- 制造商零件编号 STP10NK60Z
- 品牌 STMicroelectronics
- 产品类型 Zener 防护 SuperMESH MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 10A
- 最大漏源电压 Vd 600V
每管：50 个
RMB10.977(不含税)
- RS 库存编号 922-7819
- 制造商零件编号 FMMT717TA
- 品牌 DiodesZetex
- 产品类型 晶体管
- 最大直流集电极电流 Idc -2.5A
- 最大集电极-发射极电压 Vceo -12V
- 包装类型 SOT-23
个（每带 3000 ）
RMB1.199(不含税)
- RS 库存编号 166-1927
- 制造商零件编号 BZX85C13
- 品牌 onsemi
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 13V
- 安装类型 通孔
- 每片芯片元件数目 1
个 (以毎袋：1000)
RMB0.254(不含税)
- RS 库存编号 628-7657P
- 制造商零件编号 SMBJ15A-E3/52
- 品牌 Vishay
- 二极管配置 单路
- 方向类型 单向
- 最大钳位电压 24.4V
- 最小击穿电压 16.7V
个 (以每卷装提供)
RMB1.652(不含税)
- RS 库存编号 235-2645
- 制造商零件编号 BSS138BKWT106
- 品牌 ROHM
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 380mA
- 最大漏源电压 Vd 60V
个（每带 3000 ）
RMB0.566(不含税)
- RS 库存编号 279-9313P
- 制造商零件编号 3.0C85CA-M3/I
- 品牌 Vishay
- 二极管配置 2 x 共阴极对
- 方向类型 双向
- 最大钳位电压 137V
- 最小击穿电压 94.4V
个 (以每卷装提供)
RMB6.338(不含税)
- RS 库存编号 180-8049
- 制造商零件编号 SMF16A-E3-08
- 品牌 Vishay
- 二极管配置 单路
- 方向类型 单向
- 最大钳位电压 26V
- 最小击穿电压 17.8V
个（每托盘 25 ）
RMB0.811(不含税)
- RS 库存编号 826-8829
- 制造商零件编号 IRF7105TRPBF
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 P型, N型
- 最大连续漏极电流 Id 3.5A
- 最大漏源电压 Vd 25V
个（每托盘 20 ）
RMB4.599(不含税)
- RS 库存编号 226-6074
- 制造商零件编号 IGD06N60TATMA1
- 品牌 Infineon
- 最大连续集电极电流 12 A
- 最大集电极-发射极电压 600 V
- 最大栅极发射极电压 20V
- 晶体管数 1
个（每托盘 15 ）
RMB3.803(不含税)
- RS 库存编号 249-6911P
- 制造商零件编号 IPD90N03S4L03ATMA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 80A
- 最大漏源电压 Vd 75V
个 (以每卷装提供)
RMB5.095(不含税)
- RS 库存编号 242-0303P
- 制造商零件编号 IAUC100N10S5L040ATMA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 120A
- 最大漏源电压 Vd 40V
个 (以每卷装提供)
RMB22.015(不含税)
- RS 库存编号 228-2916
- 制造商零件编号 SIRA20BDP-T1-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 335A
- 最大漏源电压 Vd 25V
个（每托盘 5 ）
RMB13.494(不含税)
- RS 库存编号 248-5816P
- 制造商零件编号 NTH4L060N065SC1
- 品牌 onsemi
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 58A
- 最大漏源电压 Vd 1200V
个 (以每管装提供)
RMB65.77(不含税)
- RS 库存编号 258-0692
- 制造商零件编号 BSC084P03NS3GATMA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 P型
- 最大连续漏极电流 Id 78.6A
- 最大漏源电压 Vd 30V
个（每托盘 5 ）
RMB3.82(不含税)