54348 产品显示为 分立半导体
- RS 库存编号 831-2834P
- 制造商零件编号 IRF5305STRLPBF
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 P型
- 最大连续漏极电流 Id 31A
- 最大漏源电压 Vd 55V
个 (以每卷装提供)
RMB9.085(不含税)
- RS 库存编号 876-5623
- 制造商零件编号 STD13N65M2
- 品牌 STMicroelectronics
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 10A
- 最大漏源电压 Vd 650V
个（每托盘 5 ）
RMB8.274(不含税)
- RS 库存编号 220-571P
- 制造商零件编号 NVMFWS1D9N08XT1G
- 品牌 onsemi
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 201A
- 最大漏源电压 Vd 80V
个 (以每卷装提供)
RMB25.48(不含税)
- RS 库存编号 725-8366P
- 制造商零件编号 BSH203,215
- 品牌 Nexperia
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 P型
- 最大连续漏极电流 Id 470mA
- 最大漏源电压 Vd 30V
个 (以每卷装提供)
RMB1.186(不含税)
- RS 库存编号 171-6757
- 制造商零件编号 5.0SMDJ40CA
- 品牌 Littelfuse
- 特性 ESD保护
- 二极管配置 单路
- 方向类型 双向
- 最大钳位电压 64.5V
个（每带 3000 ）
RMB7.052(不含税)
- RS 库存编号 215-6638
- 制造商零件编号 FZT853TA
- 品牌 DiodesZetex
- 产品类型 晶体管
- 最大直流集电极电流 Idc 6A
- 最大集电极-发射极电压 Vceo 100V
- 包装类型 SOT-223
个
RMB3.40(不含税)
- RS 库存编号 162-6795
- 制造商零件编号 ULN2003LVDR
- 品牌 Texas Instruments
- 晶体管类型 NPN
- 最大连续集电极电流 140 mA
- 最大集电极-发射极电压 8 V
- 封装类型 SOIC
个（每带 2500 ）
RMB3.212(不含税)
- RS 库存编号 178-7560
- 制造商零件编号 MC1413BDR2G
- 品牌 onsemi
- 晶体管类型 NPN
- 最大连续集电极电流 500 mA
- 最大集电极-发射极电压 50 V
- 最大发射极-基极电压 5 V
个（每带 2500 ）
RMB2.124(不含税)
- RS 库存编号 162-9683
- 制造商零件编号 ULQ2003ADR2G
- 品牌 onsemi
- 晶体管类型 NPN
- 最大连续集电极电流 500 mA
- 最大集电极-发射极电压 50 V
- 封装类型 SOIC
个（每带 2500 ）
RMB1.894(不含税)
- RS 库存编号 922-7923
- 制造商零件编号 ZTX601B
- 品牌 DiodesZetex
- 晶体管类型 NPN
- 最大连续集电极电流 1 A
- 最大集电极-发射极电压 160 V
- 最大发射极-基极电压 10 V
个 (以毎袋：4000)
RMB3.473(不含税)
- RS 库存编号 216-7883
- 制造商零件编号 ULN2003TTR
- 品牌 STMicroelectronics
- 产品类型 达林顿晶体管阵列
- 最大连续集电极电流 Ic 500mA
- 最大集电极-发射极电压 Vceo 1.6V
- 包装类型 QFN
个（每带 2500 ）
RMB2.553(不含税)
- RS 库存编号 166-1438
- 制造商零件编号 PESD15VS2UT,215
- 品牌 Nexperia
- 特性 ESD保护
- 二极管配置 共阳极
- 方向类型 单向
- 最大钳位电压 40V
个（每带 3000 ）
RMB0.49(不含税)
- RS 库存编号 687-406P
- 制造商零件编号 VS9V0UA1LBTBR1
- 品牌 ROHM
- 二极管配置 单路
- 方向类型 单向
- 最大钳位电压 15.4V
- 最小击穿电压 10V
个 (以每卷装提供)
RMB8.375(不含税)
- RS 库存编号 181-7340
- 制造商零件编号 BZV55-B3V3,115
- 品牌 Nexperia
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 3.37V
- 安装类型 贴片
- 每片芯片元件数目 1
个（每带 2500 ）
RMB0.199(不含税)
- RS 库存编号 186-7928
- 制造商零件编号 2N6487G
- 品牌 onsemi
- 晶体管类型 NPN
- 最大直流集电极电流 15 A
- 最大集电极-发射极电压 60 V 直流
- 封装类型 TO-220
个（每托盘 10 ）
RMB5.009(不含税)
- RS 库存编号 225-9966
- 制造商零件编号 SQJQ160E-T1_GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 602A
- 最大漏源电压 Vd 60V
个（每带 2000 ）
RMB14.137(不含税)
- RS 库存编号 805-0205
- 制造商零件编号 1N5247BTR
- 品牌 onsemi
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 17V
- 安装类型 通孔
- 每片芯片元件数目 1
个（每托盘 200 ）
RMB0.17(不含税)
- RS 库存编号 249-8631P
- 制造商零件编号 IAUZ40N06S5L050ATMA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 120A
- 最大漏源电压 Vd 40V
个 (以每卷装提供)
RMB7.448(不含税)
- RS 库存编号 710-3658
- 制造商零件编号 SS10P5-M3/86A
- 品牌 Vishay
- 产品类型 二极管
- 安装类型 表面
- 包装类型 TO-277
- 最大连续正向电流 If 10A
个（每托盘 5 ）
RMB6.89(不含税)
- RS 库存编号 920-8852
- 制造商零件编号 STP11NM80
- 品牌 STMicroelectronics
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 11A
- 最大漏源电压 Vd 800V
每管：50 个
RMB22.557(不含税)