分立半导体

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DIAC
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IGBT
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JFET
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MOSFET
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PIN二极管
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SIDAC
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TVS二极管
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三极管
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双向可控硅
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变容二极管
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可控硅
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复合管
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开关二极管
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恒流二极管
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整流桥
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真空管
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稳压二极管
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肖特基二极管
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54348 产品显示为 分立半导体

815 的 999+
Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=30 V, 253 A, PQFN, 表面安装, 8引脚, IQE030N06NM5CGATMA1, IQE系列
  • RS 库存编号 240-6634
  • 制造商零件编号 IQE030N06NM5CGATMA1
个（每托盘 2 ）
RMB19.765(不含税)
Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=30 V, 253 A, PQFN, 表面安装, 8引脚, IQE008N03LM5ATMA1, IQE系列
  • RS 库存编号 240-6627
  • 制造商零件编号 IQE008N03LM5ATMA1
个（每托盘 2 ）
RMB16.275(不含税)
Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=700 V, 107 A, ThinPAK 8x8, 表面安装, 5引脚, IPL65R200CFD7AUMA1, IPL系列
  • RS 库存编号 240-6625
  • 制造商零件编号 IPL65R200CFD7AUMA1
个（每托盘 2 ）
RMB21.98(不含税)
Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 21 A, ThinPAK 8x8, 表面安装, 5引脚, IPL65R130CFD7AUMA1, IPL系列
  • RS 库存编号 240-6620
  • 制造商零件编号 IPL65R130CFD7AUMA1
个
RMB29.99(不含税)
Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 107 A, ThinPAK 8x8, 表面安装, 5引脚, IPL65R115CFD7AUMA1, IPL系列
  • RS 库存编号 240-6617
  • 制造商零件编号 IPL65R115CFD7AUMA1
个
RMB31.96(不含税)
Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=25 V, 55 A, PQFN, 表面安装, 6引脚, ISK024NE2LM5, ISK系列
  • RS 库存编号 240-6377
  • 制造商零件编号 ISK024NE2LM5
个（每托盘 5 ）
RMB5.406(不含税)
Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=25 V, 10.3 A, MLPAK33., 表面安装, 8引脚, PXN7R7-25QLJ
  • RS 库存编号 240-1997
  • 制造商零件编号 PXN7R7-25QLJ
个（每托盘 25 ）
RMB1.782(不含税)
Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 14 A, MLPAK33., 表面安装, 8引脚, PXN5R4-30QLJ
  • RS 库存编号 240-1990
  • 制造商零件编号 PXN5R4-30QLJ
个（每托盘 25 ）
RMB2.393(不含税)
Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 7.5 A, MLPAK33., 表面安装, 8引脚, PXN018-30QLJ
  • RS 库存编号 240-1985
  • 制造商零件编号 PXN018-30QLJ
个（每托盘 25 ）
RMB1.382(不含税)
Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 7.9 A, MLPAK33., 表面安装, 8引脚, PXN017-30QLJ
  • RS 库存编号 240-1983
  • 制造商零件编号 PXN017-30QLJ
个（每托盘 25 ）
RMB1.501(不含税)
Nexperia N型沟道 MOSFET, Vds=30 V, 10.3 A, LFPAK56E, 表面安装, 4引脚, PSMN1R5-50YLHX
  • RS 库存编号 240-1973
  • 制造商零件编号 PSMN1R5-50YLHX
个（每托盘 2 ）
RMB22.095(不含税)
Vishay N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=40 V, 214 A, PowerPAK 1212-8S, 表面安装, 8引脚, SQS140ENW-T1_GE3
  • RS 库存编号 239-8683
  • 制造商零件编号 SQS140ENW-T1_GE3
个（每托盘 10 ）
RMB7.701(不含税)
Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 445 A, PowerPAK (8x8L), 表面安装, 4引脚, SQJQ130EL-T1_GE3, TrenchFET Gen IV系列
  • RS 库存编号 239-8678
  • 制造商零件编号 SQJQ130EL-T1_GE3
个（每托盘 2 ）
RMB21.31(不含税)
Vishay N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=30 V, 410 A, PowerPAK SO-8L, 表面安装, 4引脚, SQJ140ELP-T1_GE3
  • RS 库存编号 239-8664
  • 制造商零件编号 SQJ140ELP-T1_GE3
个（每托盘 10 ）
RMB6.583(不含税)
Vishay N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=60 V, 100 A, PowerPAK SO-8, 表面安装, 8引脚, SIR512DP-T1-RE3
  • RS 库存编号 239-8647
  • 制造商零件编号 SIR512DP-T1-RE3
个（每托盘 5 ）
RMB16.972(不含税)
Vishay N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=850 V, 7 A, TO-220, 表面安装, 3引脚, SIHA21N80AEF-GE3, EF系列
  • RS 库存编号 239-8625
  • 制造商零件编号 SIHA21N80AEF-GE3
个（每托盘 2 ）
RMB17.055(不含税)
STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 55 A, TO-252, 通孔安装, 3引脚, STD86N3LH5, STD系列
  • RS 库存编号 239-6330
  • 制造商零件编号 STD86N3LH5
个（每托盘 5 ）
RMB11.04(不含税)
Microchip P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 10.3 A, TO-92, 通孔安装, 3引脚, VP2206N3-G, VP2206系列
  • RS 库存编号 239-5621
  • 制造商零件编号 VP2206N3-G
个（每托盘 5 ）
RMB17.508(不含税)
Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 46 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IMW65R039M1HXKSA1, CoolSiC系列
  • RS 库存编号 232-0388
  • 制造商零件编号 IMW65R039M1HXKSA1
个
RMB67.81(不含税)
onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 62 A, TO-247, 表面安装, 4引脚, NTH4LN040N65S3H, SUPERFET III系列
  • RS 库存编号 230-9085
  • 制造商零件编号 NTH4LN040N65S3H
个
RMB77.90(不含税)
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