Infineon igbt模块, Ic 75 A, VCEO 1200 V, 模块, 面板安装
- RS 库存编号:
- 273-7403
- 制造商零件编号:
- FP50R12KT3BOSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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| 5 - 9 | RMB796.62 |
| 10 - 99 | RMB780.68 |
| 100 - 249 | RMB765.07 |
| 250 + | RMB749.77 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-7403
- 制造商零件编号:
- FP50R12KT3BOSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | igbt模块 | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 75A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1200V | |
| 最大功耗 Pd | 280W | |
| 包装类型 | 模块 | |
| 安装类型 | 面板 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.15V | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最高工作温度 | 125°C | |
| 长度 | 122mm | |
| 宽度 | 62 mm | |
| 标准/认证 | EN61140, IEC61140 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 igbt模块 | ||
最大连续集电极电流 Ic 75A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V | ||
最大功耗 Pd 280W | ||
包装类型 模块 | ||
安装类型 面板 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.15V | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最高工作温度 125°C | ||
长度 122mm | ||
宽度 62 mm | ||
标准/认证 EN61140, IEC61140 | ||
汽车标准 否 | ||
这种 Infineon IGBT 模块的集电极发射极电压为 1200V，集电极连续直流电流为 50A。它的铜基板可优化散热，还采用了低杂散电感模块设计。这种 IGBT 模块可提供快速 TRENCHSTOP IGBT3 和 NTC。
热阻
高度可靠
高功率密度
低开关损耗
紧凑型模块概念