Infineon IGBT模块, Ic 75 A, VCEO 1200 V, 模块, 面板安装
- RS 库存编号:
- 273-7403
- 制造商零件编号:
- FP50R12KT3BOSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 4 | RMB821.26 |
| 5 - 9 | RMB796.62 |
| 10 - 99 | RMB780.68 |
| 100 - 249 | RMB765.07 |
| 250 + | RMB749.77 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-7403
- 制造商零件编号:
- FP50R12KT3BOSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 75 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | +/-20V | |
| 最大功率耗散 | 280 W | |
| 封装类型 | 模块 | |
| 安装类型 | 面板 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 75 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 +/-20V | ||
最大功率耗散 280 W | ||
封装类型 模块 | ||
安装类型 面板 | ||
这种 Infineon IGBT 模块的集电极发射极电压为 1200V，集电极连续直流电流为 50A。它的铜基板可优化散热，还采用了低杂散电感模块设计。这种 IGBT 模块可提供快速 TRENCHSTOP IGBT3 和 NTC。
热阻
高度可靠
高功率密度
低开关损耗
紧凑型模块概念
高度可靠
高功率密度
低开关损耗
紧凑型模块概念