STMicroelectronics IGBT, Ic 80 A, VCEO 650 V, 3引脚, TO-247
- RS 库存编号:
- 261-5071
- 制造商零件编号:
- STGWA80H65DFBAG
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 80A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 535W | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±20 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 15V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 5mm | |
| 长度 | 15.8mm | |
| 宽度 | 21 mm | |
| 系列 | STGWA | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 IGBT | ||
最大连续集电极电流 Ic 80A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 535W | ||
包装类型 TO-247 | ||
引脚数目 3 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±20 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 15V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 5mm | ||
长度 15.8mm | ||
宽度 21 mm | ||
系列 STGWA | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics IGBT 采用先进的专有槽门现场停止结构开发。该设备是新的 HB 系列 IGBT 的一部分,它代表了导电和切换损耗之间的最佳妥协,以最大程度地提高任何频率转换器的效率。此外,稍微正向的 VCE(sat) 温度系数和非常紧密的参数分布,可实现更安全的并行操作。
AEC-Q101 认证
高速切换系列
最大接点温度 TJ 是 175 度 C
最小化尾线电流
紧凑型参数分布
正温度 VCE(sat) 系数
柔软且非常快速的恢复反平行二极管