Infineon N沟道IGBT, 8针, PG-TDSON-8, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 273-5240
- 制造商零件编号:
- BSC16DN25NS3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥50.78
(不含税)
¥57.38
(含税)
有库存
- 85 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB10.156 | RMB50.78 |
| 50 - 495 | RMB9.952 | RMB49.76 |
| 500 + | RMB9.754 | RMB48.77 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-5240
- 制造商零件编号:
- BSC16DN25NS3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 62.5 W | |
| 封装类型 | PG-TDSON-8 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 62.5 W | ||
封装类型 PG-TDSON-8 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 8 | ||
Infineon MOSFET 是 N 通道 MOSFET,工作温度为 150 摄氏度。它是经过优化的直流到直流转换。此 MOSFET 符合 JEDEC 标准,适用于目标应用。此 MOSFET 无卤,符合 IEC61249 2 21 标准。
符合 RoHS 标准
无铅引线镀层
低接通电阻
出色的门充电
无铅引线镀层
低接通电阻
出色的门充电