Infineon IGBT, Ic 40 A, VCEO 600 V, 3针, PG-TO263-3, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 273-7446
- 制造商零件编号:
- IKB20N60H3ATMA1
- 制造商:
- Infineon
小计（1 卷，共 1000 件）*
¥6,871.00
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(含税)
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 1000 + | RMB6.871 | RMB6,871.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-7446
- 制造商零件编号:
- IKB20N60H3ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 40 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最大栅极发射极电压 | +/-20V | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 最大功率耗散 | 170 W | |
| 封装类型 | PG-TO263-3 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 40 A | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
最大栅极发射极电压 +/-20V | ||
晶体管数 1 | ||
最大功率耗散 170 W | ||
封装类型 PG-TO263-3 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
这种 Infineon IGBT 是一种采用沟槽和场截止技术的高速 IGBT。这种 IGBT 的最高结温为 175 摄氏度，符合 JEDEC 的目标应用要求。建议将这种 IGBT 用于不间断电源、焊接转换器和高开关频率转换器。
低 EMI
无卤
符合 RoHS 标准
极低 VCEsat
无铅引线电镀
非常软且恢复快的反并联二极管
无卤
符合 RoHS 标准
极低 VCEsat
无铅引线电镀
非常软且恢复快的反并联二极管