STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=400 V, 1.8 A, SOT-223, 贴片安装, 4引脚, SuperMESH3系列
- RS 库存编号:
- 151-444
- 制造商零件编号:
- STN3N40K3
- 制造商:
- STMicroelectronics
小计（1 卷，共 4000 件）*
¥6,952.00
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 4000 + | RMB1.738 | RMB6,952.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 151-444
- 制造商零件编号:
- STN3N40K3
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 1.8 A | |
| 最大漏源电压 | 400 V | |
| 系列 | SuperMESH3 | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 1.8 A | ||
最大漏源电压 400 V | ||
系列 SuperMESH3 | ||
封装类型 SOT-223 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 4 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体功率 MOSFET 是超级 MESH 技术改进的成果，结合了全新优化的垂直结构。该器件具有极低的导通电阻、卓越的动态性能和极高的雪崩能力，适合要求最苛刻的应用。
极高的 dv/dt 能力
栅极电荷最小化
本征电容极低
改进的二极管反向恢复特性
齐纳保护型
栅极电荷最小化
本征电容极低
改进的二极管反向恢复特性
齐纳保护型