STMicroelectronics N型沟道增强型 MOSFET, Vds=650 V, 54 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, MDmesh M9系列

RS 库存编号:: 151-783
制造商零件编号:: STWA65N045M9
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N型沟道增强型 MOSFET, Vds=650 V, 54 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, MDmesh M9系列

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	54A
	最大漏源电压 Vd	650V
	系列	MDmesh M9
	包装类型	TO-247
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	45mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	312W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	8nC
	正向电压 Vf	1.5V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	No
	长度	20.10mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 54A
	最大漏源电压 Vd 650V
	系列 MDmesh M9
	包装类型 TO-247
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 45mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 312W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 8nC
	正向电压 Vf 1.5V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 No
	长度 20.10mm
	汽车标准否

Datasheet - STWA65N045M9

COO (Country of Origin):: CN

意法半导体 N 沟道功率 MOSFET 基于最具创新性的超级结 MDmesh M9 技术，适用于中/高压 MOSFET，单位面积 RDS(on) 非常低。基于硅的 M9 技术受益于多排水制造过程,可实现增强的设备结构。在所有硅基快速开关超级结功率 MOSFET 中，该产品是导通电阻较低和栅极电荷值较低的产品之一，因此特别适用于需要超高功率密度和出色效率的应用场合

更高的 VDSS 额定值

更高的 dv/dt 能力

优异的开关性能

STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 54 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, MDmesh M9系列

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