onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=37 A, 8针, HPSOF-8L, NTBL系列

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包装方式：
RS 库存编号:
220-564
制造商零件编号:
NTBL075N065SC1
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

37A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

HPSOF-8L

系列

NTBL

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

85mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

139W

最大栅源电压 Vgs

22.6V

正向电压 Vf

4.4V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

59nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

长度

9.9mm

宽度

10.38mm

高度

2.3mm

COO (Country of Origin):
PH
安森美半导体碳化硅（SiC）MOSFET 采用全新技术，与硅相比开关性能更优越，可靠性更高。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。因此,系统优势包括最高效率、更快的操作频率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更小的系统尺寸。

低电容高速开关

符合 RoHS 标准

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