onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 46 A, HPSOF-8L, 表面安装, 8引脚, NTBL060N065SC1, NTBL系列

可享批量折扣

小计(1 卷,共 1 件)*

¥56.94

(不含税)

¥64.34

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 2,000 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
Tape(s)
Per Tape
1 - 9RMB56.94
10 - 99RMB51.26
100 - 499RMB47.30
500 - 999RMB43.88
1000 +RMB43.00

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
220-562
制造商零件编号:
NTBL060N065SC1
制造商:
onsemi
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

onsemi

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

46A

最大漏源电压 Vd

650V

系列

NTBL

包装类型

HPSOF-8L

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

60mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

22.6 V

正向电压 Vf

4.3V

最大功耗 Pd

170W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

74nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

宽度

10.38 mm

高度

2.3mm

标准/认证

RoHS Compliant

长度

9.9mm

COO (Country of Origin):
PH
安森美半导体碳化硅(SiC)MOSFET 采用全新技术,与硅相比开关性能更优越,可靠性更高。此外,低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。因此,系统优势包括最高效率、更快的操作频率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更小的系统尺寸。

低电容高速开关

符合 RoHS 标准