Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 45 A, EasyPACK, 螺钉接线端子安装, F417MR12W1M1HPB76BPSA1, F4-17MR12W1M1HP_B76系列

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348-966
制造商零件编号:
F417MR12W1M1HPB76BPSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

45A

最大漏源电压 Vd

1200V

包装类型

EasyPACK

系列

F4-17MR12W1M1HP_B76

安装类型

螺钉接线端子

最大漏源电阻 Rd

34.7mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

5.35V

最低工作温度

-40°C

最大栅源电压 Vgs

23 V

最大功耗 Pd

20mW

最高工作温度

175°C

标准/认证

IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747

汽车标准

COO (Country of Origin):
DE
Infineon EasyPACK 1B CoolSiC MOSFET 四组模块 1200V、17mΩ G1 配备 NTC、预涂热界面材料并采用 PressFIT 接触技术。这款 MOSFET 采用出色的封装,高度紧凑,仅 12mm,可实现高效集成。它采用先进的宽带隙材料,可提升性能和能源效率。设计具有极低的模块杂散电感,可降低功率损耗并改善开关特性。它由增强型 CoolSiC MOSFET Gen 1 供电,具有卓越的热性能和可靠性。

卓越的模块效率

系统成本优势

系统效率提升

降低冷却要求

实现更高的频率

增加功率密度