Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=64 A, 4针, PG-TO247-4, IMZA65系列

RS 库存编号:: 351-870
制造商零件编号:: IMZA65R026M2HXKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=64 A, 4针, PG-TO247-4, IMZA65系列

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RS 库存编号:: 351-870
制造商零件编号:: IMZA65R026M2HXKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	64A
	输出功率	227W
	最大漏源电压 Vd	650V
	包装类型	PG-TO247-4
	系列	IMZA65
	安装类型	通孔
	引脚数目	4
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	宽度	21.1mm
	标准/认证	JEDEC for Industrial Applications
	高度	5.1mm
	长度	15.9mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 64A
	输出功率 227W
	最大漏源电压 Vd 650V
	包装类型 PG-TO247-4
	系列 IMZA65
	安装类型通孔
	引脚数目 4
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	宽度 21.1mm
	标准/认证 JEDEC for Industrial Applications
	高度 5.1mm
	长度 15.9mm
	汽车标准否

Datasheet - IMZA65R026M2HXKSA1

COO (Country of Origin):: CN

采用 TO-247-4 封装的 Infineon CoolSiC MOSFET 650V、26mΩ G2 以第 1 代技术的优势为基础，能够加速系统设计，提供成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第 2 代产品在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数上都有显著改进，适用于所有常见的交流-直流、直流-直流和直流-交流级组合。

出色的品质因数 (FOM)

杰出的 RDS(on)

坚固耐用，整体质量高

灵活的驱动电压范围

支持单极驱动 (VGSoff=0)

出色的抗启动效应能力

改进了与 .XT 互连的封装

4 针封装

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=64 A, 4针, PG-TO247-4, IMZA65系列

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