Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=47 A, 16针, PG-HDSOP-16, IGLT65系列

RS 库存编号:: 351-889
制造商零件编号:: IGLT65R035D2ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=47 A, 16针, PG-HDSOP-16, IGLT65系列

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RS 库存编号:: 351-889
制造商零件编号:: IGLT65R035D2ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	47A
	最大漏源电压 Vd	650V
	包装类型	PG-HDSOP-16
	系列	IGLT65
	安装类型	表面
	引脚数目	16
	最大漏源电阻 Rd	0.042Ω
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	10V
	最大功耗 Pd	154W
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	7.7nC
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	JEDEC for Industrial Applications
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 47A
	最大漏源电压 Vd 650V
	包装类型 PG-HDSOP-16
	系列 IGLT65
	安装类型表面
	引脚数目 16
	最大漏源电阻 Rd 0.042Ω
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 10V
	最大功耗 Pd 154W
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7.7nC
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 JEDEC for Industrial Applications
	汽车标准否

Datasheet - IGLT65R035D2ATMA1

COO (Country of Origin):: MY

Infineon IGLT65 系列 MOSFET，650V 漏源电压，47A 连续漏极电流 - IGLT65R035D2ATMA1

该 MOSFET 是一款高压 N 通道增强型设备，专为工业电源开关和控制而设计。它可在宽环境范围内运行，适用于需要稳健漏源电压处理和适度栅极电荷的表面安装电路组件。该封装支持多引脚安装并集成到紧凑型电源模块中，适用于苛刻的电子系统。

特性和优点：

• 650V 漏源额定值，适用于高压开关应用
• 47A 连续漏极电流，可实现高电流处理
• 0.042 Ω RDS(on)，可降低传导损耗
• 154W 功耗，可管理热负载
• 7.7 nC 典型栅极电荷，可实现高效栅极驱动
• PG‑HDSOP‑16 表面安装封装，适用于紧凑型 PCB 布局

应用

• 适用于工业高压变频器级
• 与需要 47A 开关能力的电源配合使用
• 适用于工业设备的电机驱动前端
• 可用于高压系统中的缓冲电路和钳位电路
• 适用于需要表面安装 MOSFET 的紧凑型电源模块

它在运行过程中可耐受哪些极端温度？

其工作温度范围为 -55 °C 至 150 °C，适用于恶劣的热环境和高温工业装置。

为了考虑PCB布局，封装中有多少引脚？

该组件采用 16 引脚配置，为封装设计和热过孔布局提供参考，以实现有效散热。

应遵守哪些栅极驱动电压限制？

最大栅源电压为 10V，因此栅极驱动电路必须相应限制驱动振幅。

该设备是否符合工业应用的工业标准测试性要求？

它按照工业用途的 JEDEC 标准制造，符合该行业的常规认证和可靠性要求。