Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=31 A, 16针, PG-HDSOP-16, IGLT65系列

RS 库存编号:: 351-886
制造商零件编号:: IGLT65R055D2ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=31 A, 16针, PG-HDSOP-16, IGLT65系列

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单位	每单位
1 - 9	RMB50.89
10 - 99	RMB45.77
100 - 499	RMB42.23
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RS 库存编号:: 351-886
制造商零件编号:: IGLT65R055D2ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	31A
	最大漏源电压 Vd	650V
	系列	IGLT65
	包装类型	PG-HDSOP-16
	安装类型	表面
	引脚数目	16
	最大漏源电阻 Rd	0.066Ω
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	4.7nC
	最大栅源电压 Vgs	10V
	最大功耗 Pd	102W
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	JEDEC for Industrial Applications
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 31A
	最大漏源电压 Vd 650V
	系列 IGLT65
	包装类型 PG-HDSOP-16
	安装类型表面
	引脚数目 16
	最大漏源电阻 Rd 0.066Ω
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.7nC
	最大栅源电压 Vgs 10V
	最大功耗 Pd 102W
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 JEDEC for Industrial Applications
	汽车标准否

Datasheet - IGLT65R055D2ATMA1

COO (Country of Origin):: MY

Infineon IGLT65 系列 MOSFET，650V 漏源电压，31A 连续漏极电流 - IGLT65R055D2ATMA1

该 MOSFET 是一款高压 N 通道开关晶体管，专为需要稳健热范围和表面安装组件的工业应用而设计。它作为增强型设备运行，采用紧凑型 PG-HDSOP-16 表面封装，适用于自动化 PCB 组装。符合 JEDEC 标准，适用于需要宽温度耐受性的苛刻工业环境。

特性和优点：

• 650V 漏源额定值支持高压开关系统
• 31A 连续漏极电流可实现大量负载处理
• 0.066Ω Rds(on) 可减少功率级中的传导损耗
• 102W 功耗，可实现更高的热吞吐量
• 4.7nC 典型栅极电荷可提高开关效率
• 10V 栅源限制支持标准栅极驱动电压

应用

• 适用于高压电源转换器和反相器
• 与工业电机驱动开关模块配合使用
• 适用于工厂设备中的开关模式电源
• 可用于电源机架中的钳位电路和缓冲电路
• 用于控制面板中的高压继电器更换

它在运行过程中可承受哪些极端温度？

它专为在 -55°C 至 150°C 的宽温度范围内运行而设计，可在恶劣的工业热条件下使用。

PCB 布局应考虑哪些引脚数量和安装方式？

该设备采用 PG-HDSOP-16 格式的 16 引脚表面安装封装，适用于标准 SMT 组装工艺。

栅极规格对驱动器选择有何影响？

最大允许栅源电压为 10V，因此应选择栅极驱动器以确保电压不超过该值，避免应力过大。

它是否符合汽车使用标准？

它未通过汽车标准认证，适用于符合 JEDEC 标准的工业应用。