STMicroelectronics N沟道功率MOSFET, Vds=80 V, Id=126 A, 8针, PowerFLAT, STL系列

N

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RS 库存编号:
898-599
制造商零件编号:
STL110N8F8
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

功率MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

126A

最大漏源电压 Vd

80V

包装类型

PowerFLAT

系列

STL

安装类型

表面安装

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

4.5mΩ

通道模式

N

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

150W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

47nC

晶体管配置

增强模式

最高工作温度

175°C

宽度

5mm

长度

5.8mm

标准/认证

ECOPACK2

高度

1mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics N 沟道增强型功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术，具有增强型沟槽栅结构。凭借极低的导通电阻实现了业界领先的品质因数，同时可降低内部电容和栅极电荷，实现更快、更高效的开关。

MSL1 等级

100% 雪崩测试

低栅极电荷

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