制造商编号

STMicroelectronics 增强模式 N沟道 N型功率 MOSFET, Vds=80 V, 126 A, PowerFLAT, 表面安装, 8引脚, STL110N8F8, STL系列

RS 库存编号:: 898-599
制造商零件编号:: STL110N8F8
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics 增强模式 N沟道 N型功率 MOSFET, Vds=80 V, 126 A, PowerFLAT, 表面安装, 8引脚, STL110N8F8, STL系列

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制造商零件编号:: STL110N8F8
制造商:: STMicroelectronics

产品技术参数

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	产品类型	功率 MOSFET
	槽架类型	N沟道
	最大连续漏极电流 Id	126A
	最大漏源电压 Vd	80V
	系列	STL
	包装类型	PowerFLAT
	安装类型	表面安装
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	4.5mΩ
	通道模式	N
	正向电压 Vf	1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	47nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	150W
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	晶体管配置	增强模式
	宽度	5mm
	长度	5.8mm
	标准/认证	ECOPACK2
	高度	1mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	产品类型功率 MOSFET
	槽架类型 N沟道
	最大连续漏极电流 Id 126A
	最大漏源电压 Vd 80V
	系列 STL
	包装类型 PowerFLAT
	安装类型表面安装
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 4.5mΩ
	通道模式 N
	正向电压 Vf 1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 47nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 150W
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	晶体管配置增强模式
	宽度 5mm
	长度 5.8mm
	标准/认证 ECOPACK2
	高度 1mm
	汽车标准否

Datasheet - STL110N8F8

COO (Country of Origin):: CN

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