Microchip , 1 P-通道, N 沟道 增强型 MOSFET 阵列, Vds=500 V, 350 mA, 8 引线 SOIC (TG), 表面安装, 8引脚, TC1550系列, TC1550TG-G
- RS 库存编号:
- 598-873
- 制造商零件编号:
- TC1550TG-G
- 制造商:
- Microchip
N
小计（1 卷，共 3300 件）*
¥185,572.20
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3300 + | RMB56.234 | RMB185,572.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 598-873
- 制造商零件编号:
- TC1550TG-G
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 产品类型 | MOSFET 阵列 | |
| 槽架类型 | P-通道, N 沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 350mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 500V | |
| 包装类型 | 8 引线 SOIC (TG) | |
| 系列 | TC1550 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 125Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.75mm | |
| 标准/认证 | RoHS Certificate of Compliance | |
| 长度 | 4.90mm | |
| 宽度 | 3.9 mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
产品类型 MOSFET 阵列 | ||
槽架类型 P-通道, N 沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 350mA | ||
最大漏源电压 Vd 500V | ||
包装类型 8 引线 SOIC (TG) | ||
系列 TC1550 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 125Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.75mm | ||
标准/认证 RoHS Certificate of Compliance | ||
长度 4.90mm | ||
宽度 3.9 mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
8 线 SOIC 封装中的 Microchip 高电压 N 通道和 P 通道 MOSFET 是增强模式 (正常关闭) 晶体管,利用先进的垂直 DMOS 结构和 Supertex 经验证的硅门制造过程。此组合提供双极晶体管的功率处理功能,具有典型的 MOS 器件的高输入阻抗和正温度系数。与所有 MOS 结构一样,此设备可免受热逃离和热诱导二级故障,确保可靠的性能。
低输入电容
快速切换速度
免受次级故障
低输入和输出泄漏