ROHM N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=40 V, 135 A, HSMT-8, 表面安装, 8引脚, RH6G040CHTB1, RH6G04系列

N
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RS 库存编号:
646-632
制造商零件编号:
RH6G040CHTB1
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

N型

产品类型

单 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

135A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

HSMT-8

系列

RH6G04

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

2.5mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

32nC

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最大功耗 Pd

93W

最高工作温度

175°C

标准/认证

Halogen Free, Pb Free, RoHS

汽车标准

ROHM 功率 MOSFET 具有低接通电阻和高功率小模制封装,适用于开关、电动机驱动和直流/直流转换器。

无铅电镀

符合 RoHS 标准

无卤素

100% Rg 和 UIS 测试