ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=150 V, Id=25 A, 8针, HSMT, RH6R025BH系列

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RS 库存编号:
266-3858
制造商零件编号:
RH6R025BHTB1
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

25A

最大漏源电压 Vd

150V

包装类型

HSMT

系列

RH6R025BH

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

60mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

16.7nC

最大功耗 Pd

59W

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

ROHM 功率 MOSFET 具有低接通电阻和高功率小型模制封装,适用于切换。

无铅镀层

符合 RoHS 标准

无卤素

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