Vishay N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=600 V, 38 A, PowerPAK, 表面安装, 8引脚, EF系列

N
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653-078
制造商零件编号:
SIHR100N60EF-T1GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

单 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

38A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

PowerPAK

系列

EF

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.108Ω

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

±30 V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

35nC

最大功耗 Pd

347W

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

8 mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN
Vishay 第 4 代 E 系列功率 MOSFET 配有快速主体二极管,可提高切换效率。它提供低功率数字 (FOM),减少有效电容,并最大程度地减少切换和导电损失。采用 PowerPAK 8x8LR 封装,特别适用于服务器、电信、照明、工业和太阳能电源应用。

无铅

无卤素

符合 RoHS 标准