Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=600 V, 21 A, TO-263, 通孔安装, 3引脚, EF系列

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653-176
制造商零件编号:
SIHB155N60EF-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

功率 MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

21A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

EF

包装类型

TO-263

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.159Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

25nC

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

30V

最大功耗 Pd

179W

最高工作温度

150°C

长度

2.79mm

标准/认证

RoHS

宽度

9.65mm

汽车标准

否

Vishay EF 系列功率 MOSFET,600 V 最大漏源电压,21 A 最大连续漏电流 - SIHB155N60EF-GE3


这款功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道开关设备,专为工业电子产品中的功率转换和控制而设计。它作为增强模式晶体管运行,适用于通孔安装,适用于需要在高电压和电流下稳健切换的应用。

特性和优点：


• 600V 排放额定值可实现高电压开关应用 • 21 A 连续漏电流支持大量负载处理 • 0.159 Ω Rds(on) 可减少传导损耗,实现高效运行 • 179W 功耗可实现持续的热负载管理 • 25 nC 典型栅极电荷,便于快速切换转换 • 30V 最大栅极容差允许常见栅极驱动电压

应用


• 适用于自动化设备的高压电源 • 特别适用于需要通孔组件的电机驱动阶段 • 用于高耗散的工业开关模式电源 • 可用于电气系统中的电源转换模块 • 适用于需要通孔部件的原型设计和可维修安装

热管理适用哪些安装因素?


该设备使用 TO-263 通孔封装,在适当的冷却条件下,可利用大量散热器或印刷电路板铜面积来消散高达 179 W。

栅极电荷对栅极驱动设计有何影响?


在额定栅极驱动时,典型栅极电荷为 25 nC,影响开关损耗,并决定驱动电流能力的预期上升和下降时间。

运行期间的预期温度范围是多少?


该组件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,需要合适的热设计,以保持接点温度在限值范围内。

使用过程中对栅极电压是否有限制?


栅极源电压不得超过 30 V,以防止栅极氧化应力并确保长期可靠性。

哪些电气特性会影响电源效率?


低 Rds(on) 和 600 V 漏电能力的组合可减少高电压转换器拓扑中的传导和开关损耗。

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