Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=29 A, 3针, TO-263, SiHB105N60EF系列

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RS 库存编号:
204-7204
制造商零件编号:
SIHB105N60EF-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

29A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-263

系列

SiHB105N60EF

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

102mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

208W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

53nC

最大栅源电压 Vgs

30V

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

宽度

4.83mm

高度

15.88mm

长度

10.67mm

标准/认证

No

汽车标准

否

Vishay omm e 系列 power mosfet 的 fast 主体二极管采用 4th e 系列技术。它减少了切换和传导损耗。

低品质因数 (FOM) Ron x Qg

低有效电容（ co （ er ）

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