Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 41 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SiHB068N60EF系列

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RS 库存编号:
204-7243
制造商零件编号:
SIHB068N60EF-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

41A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-263

系列

SiHB068N60EF

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

68mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

250W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

51nC

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

30 V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

高度

4.06mm

宽度

9.65 mm

长度

14.61mm

汽车标准

Vishay omm e 系列 power mosfet 的 fast 主体二极管采用 4th e 系列技术。它减少了切换和传导损耗。

雪崩能量等级( uis )

低品质因数 (FOM) Ron x Qg