Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 90.9 A, PowerPAK, 表面安装, 8引脚, SIR5607DP-T1-UE3, SIR5607DP系列

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Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 90.9 A, PowerPAK, 表面安装, 8引脚, SIR5607DP-T1-UE3, SIR5607DP系列
RS 库存编号
653-196

1 带 1 套

RMB21.09

(不含税)

RMB23.83

(含税)

RS 库存编号:
653-195
制造商零件编号:
SIR5607DP-T1-UE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

90.9A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

PowerPAK

系列

SIR5607DP

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.007Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

104W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

31.7nC

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

高度

1.12mm

长度

6.25mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN
Vishay P 通道 MOSFET 设计用于在紧凑型电源系统中进行高效切换。它支持高达 60 V 排水源电压,并安装在 PowerPAK SO-8 封装中。它采用 TrenchFET Gen V 技术构建,提供非常低的 RDS(on),可最大程度地减少电压下降和导电损失。

无铅

无卤素

符合 RoHS 标准

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