Vishay P-通道沟道增强型MOSFET, Vds=-40 V, Id=-101.4 A, 8针, PowerPAK, TrenchFET系列

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RS 库存编号:
904-975
制造商零件编号:
SIR4407DP-T1-UE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

P-通道

最大连续漏极电流 Id

-101.4A

最大漏源电压 Vd

-40V

包装类型

PowerPAK

系列

TrenchFET

安装类型

表面安装

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.0045Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

82.7nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

88.3W

正向电压 Vf

1.1V

最高工作温度

150°C

宽度

5.15mm

标准/认证

ROHS

长度

6.15mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
IL
Vishay P 通道 MOSFET 是一款可靠的电子开关，专为高效管理高电压和电流而设计。专为各种电源管理应用而设计，确保在苛刻环境中实现稳健性能。

漏源电压为 -40 V，可靠性更高

超低导通电阻可确保运行期间的功耗最小

完全通过 R 和 UIS 测试，确保在压力条件下的性能表现

提供 5.0 W 的最大额定功耗，可实现更低的运行温度

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