制造商编号

Infineon N沟道增强型单 MOSFET, Vds=600 V, Id=60 A, 7针, TO-263-7, CoolMOS 8系列

RS 库存编号:: 690-430
制造商零件编号:: IPT60R160CM8XTMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型单 MOSFET, Vds=600 V, Id=60 A, 7针, TO-263-7, CoolMOS 8系列

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RS 库存编号:: 690-430
制造商零件编号:: IPT60R160CM8XTMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	单 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	60A
	最大漏源电压 Vd	600V
	包装类型	TO-263-7
	系列	CoolMOS 8
	安装类型	表面
	引脚数目	7
	最大漏源电阻 Rd	160mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-40°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	20nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	150°C
	高度	2.4mm
	长度	10.1mm
	标准/认证	ISO 128-30, RoHS
	宽度	11.88mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型单 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 60A
	最大漏源电压 Vd 600V
	包装类型 TO-263-7
	系列 CoolMOS 8
	安装类型表面
	引脚数目 7
	最大漏源电阻 Rd 160mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -40°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 20nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 150°C
	高度 2.4mm
	长度 10.1mm
	标准/认证 ISO 128-30, RoHS
	宽度 11.88mm
	汽车标准 AEC-Q101

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