Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=124 A, 8针, 1212-F, TrenchFET系列

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RS 库存编号:
735-203
制造商零件编号:
SISD4402DN-T1-UE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

124A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

1212-F

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.0031Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

57W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

50nC

最高工作温度

150°C

宽度

3.3mm

标准/认证

RoHS Compliant

长度

3.3mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
IL
Vishay N通道MOSFET专为在高要求的电子系统中实现高效功率转换和控制而设计。它通过全面测试确保稳健性能，同时符合环保标准。它具有通用性，因此成为需要可靠整流、紧凑型dc/dc解决方案和精确电机驱动控制应用的理想选择。

提供100% Rg和UIS测试，确保可靠性

符合 RoHS 标准，保障环境安全

采用无卤素结构，可实现环保设计

支持同步整流，可实现高效电能转换

具有可靠的开关性能，支持电机驱动控制

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