Vishay N 沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 85 A, 1212-F, 表面安装, 8引脚, SISD4604DN-T1-UE3, TrenchFET系列

N
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735-265
制造商零件编号:
SISD4604DN-T1-UE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N 沟道

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

85A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

1212-F

系列

TrenchFET

安装类型

表面安装

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.0048Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最大功耗 Pd

57W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

32.5nC

最高工作温度

150°C

长度

3.3mm

宽度

3.3 mm

标准/认证

RoHS Compliant

汽车标准

COO (Country of Origin):
IL