Microchip N沟道 MOSFET, Vds=500 V, 32 A, SOT, 通孔安装, 4引脚, APT50M75JLLU2, Power MOS 7系列
- RS 库存编号:
- 813-814
- 制造商零件编号:
- APT50M75JLLU2
- 制造商:
- Microchip
N
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|---|---|
| 1 + | RMB247.36 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 813-814
- 制造商零件编号:
- APT50M75JLLU2
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 32A | |
| 最大漏源电压 Vd | 500V | |
| 系列 | Power MOS 7 | |
| 包装类型 | SOT | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 75mΩ | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大功耗 Pd | 290W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 长度 | 38.2mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
槽架类型 N沟道 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 32A | ||
最大漏源电压 Vd 500V | ||
系列 Power MOS 7 | ||
包装类型 SOT | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 75mΩ | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大功耗 Pd 290W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
长度 38.2mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Microchip MOSFET 功率模块专为电子应用中的高效电源管理而设计。它在高频操作中表现出色,可在严苛条件下提供强大的性能特性。
具有低RDS(on),可实现有效传导
具有低栅极电荷和低电容,可实现高效性能
额定漏源断开电压为 500 V
包含 ISOTOP 封装,便于直接安装散热器
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