STMicroelectronics N沟道 增强模式型 功率 MOSFET, Vds=1200 V, 6 A, H2PAK-2, 表面安装, 3引脚, ST2H8N120K5AG, MDmesh K5系列
- RS 库存编号:
- 814-401
- 制造商零件编号:
- ST2H8N120K5AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
N
小计（1 卷，共 1000 件）*
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 1000 + | RMB25.662 | RMB25,662.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 814-401
- 制造商零件编号:
- ST2H8N120K5AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 系列 | MDmesh K5 | |
| 包装类型 | H2PAK-2 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.65Ω | |
| 通道模式 | 增强模式 | |
| 最大功耗 Pd | 165W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 10.98mm | |
| 宽度 | 10.98mm | |
| 高度 | 15.55mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N沟道 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 6A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
系列 MDmesh K5 | ||
包装类型 H2PAK-2 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.65Ω | ||
通道模式 增强模式 | ||
最大功耗 Pd 165W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 10.98mm | ||
宽度 10.98mm | ||
高度 15.55mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N 通道电源 MOSFET 可为严苛应用提供可靠的高电压性能，确保在汽车环境中实现卓越效率和功率密度。
通过汽车级 AEC Q101认证，符合可靠性标准
超低栅极电荷和超低品质指数，可降低功率损耗
1200 V 最大漏-源电压，最大排放电流为 6 A
采用先进的 MDmesh K5 技术设计，可实现最佳性能