STMicroelectronics N 沟道 MOSFET N沟道 MOSFET型 功率 MOSFET, Vds=1500 V, 2.6 A, H2PAK-2, 表面安装, 3引脚, STH4N150-2AG, STH4N150系列

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881-431
制造商零件编号:
STH4N150-2AG
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

功率 MOSFET

槽架类型

N沟道

最大连续漏极电流 Id

2.6A

最大漏源电压 Vd

1500V

系列

STH4N150

包装类型

H2PAK-2

安装类型

表面安装

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

10Ω

通道模式

MOSFET

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

35.1nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

30V

最大功耗 Pd

208W

晶体管配置

N 沟道 MOSFET

最高工作温度

150°C

长度

10.4mm

宽度

4.7mm

高度

15.8mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics N沟道功率MOSFET采用PowerMESH技术开发 技术。该器件专为汽车市场设计，旨在提供高电压等级和耐用性。

栅极电荷非常低

100% 雪崩测试

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