制造商编号

Vishay P-通道沟道增强模式型单 MOSFET, Vds=-60 V, -36 A, P, 表面安装, 8引脚, SQJ457EP-T1_NE3, SQJ系列

RS 库存编号:: 829-353
制造商零件编号:: SQJ457EP-T1_NE3
制造商:: Vishay

Vishay P-通道沟道增强模式型单 MOSFET, Vds=-60 V, -36 A, P, 表面安装, 8引脚, SQJ457EP-T1_NE3, SQJ系列

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RS 库存编号:: 829-353
制造商零件编号:: SQJ457EP-T1_NE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	单 MOSFET
	槽架类型	P-通道
	最大连续漏极电流 Id	-36A
	最大漏源电压 Vd	-60V
	系列	SQJ
	包装类型	P
	安装类型	表面安装
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.025Ω
	通道模式	增强模式
	最大功耗 Pd	245W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	65nC
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.2V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS Compliant
	宽度	4.90mm
	长度	6.15mm
	高度	1.04mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型单 MOSFET
	槽架类型 P-通道
	最大连续漏极电流 Id -36A
	最大漏源电压 Vd -60V
	系列 SQJ
	包装类型 P
	安装类型表面安装
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.025Ω
	通道模式增强模式
	最大功耗 Pd 245W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 65nC
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.2V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS Compliant
	宽度 4.90mm
	长度 6.15mm
	高度 1.04mm
	汽车标准否

Datasheet - SQJ457EP-T1_NE3

COO (Country of Origin):: GB

Vishay功率MOSFET为汽车应用提供可靠性能，具备高效开关特性和高导热性，确保在各种条件下稳定运行。

符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车应用

TrenchFET技术提升了效率并降低了功耗

在-10V栅极电压下的导通电阻为0.0250Ω

在高性能应用中的连续漏极电流额定值为-36A

Vishay P-通道沟道 增强模式型 单 MOSFET, Vds=-60 V, -36 A, P, 表面安装, 8引脚, SQJ457EP-T1_NE3, SQJ系列

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