Vishay P-通道沟道增强型单 MOSFET, Vds=-60 V, Id=-36 A, 8针, P, SQJ系列

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RS 库存编号:
829-353
制造商零件编号:
SQJ457EP-T1_NE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P-通道

产品类型

单 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

-36A

最大漏源电压 Vd

-60V

包装类型

P

系列

SQJ

安装类型

表面安装

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.025Ω

通道模式

增强模式

最大功耗 Pd

245W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

65nC

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS Compliant

长度

6.15mm

宽度

4.9mm

高度

1.04mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
GB
Vishay功率MOSFET为汽车应用提供可靠性能，具备高效开关特性和高导热性，确保在各种条件下稳定运行。

符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车应用

TrenchFET技术提升了效率并降低了功耗

在-10V栅极电压下的导通电阻为0.0250Ω

在高性能应用中的连续漏极电流额定值为-36A

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