Vishay P-通道沟道增强型MOSFET, Vds=-30 V, Id=-30 A, 8针, PowerPAK, TrenchFET系列

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904-970
制造商零件编号:
SQJ951EP-T1_NE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P-通道

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

-30A

最大漏源电压 Vd

-30V

包装类型

PowerPAK

系列

TrenchFET

安装类型

表面安装

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.017Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

33nC

最大功耗 Pd

56W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

175°C

标准/认证

ROHS

宽度

5.13mm

长度

6.15mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
GB
这款 Vishay 高性能汽车级双 P 通道 MOSFET 专为需要稳健性能和热稳定性的应用中的高效电源管理而设计。

通过 AEC-Q101 认证，符合汽车标准

TrenchFET 技术可确保低导通电阻

经过全面测试，确保在严格条件下的可靠性

无铅和无卤素结构支持环保要求

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