制造商编号

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=266 A, 8针, PowerPAK, TrenchFET系列

RS 库存编号:: 904-969
制造商零件编号:: SQJ140EP-T1_NE3
制造商:: Vishay

N

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=266 A, 8针, PowerPAK, TrenchFET系列

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RS 库存编号:: 904-969
制造商零件编号:: SQJ140EP-T1_NE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	266A
	最大漏源电压 Vd	40V
	系列	TrenchFET
	包装类型	PowerPAK
	安装类型	表面安装
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.0021Ω
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	49.2nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	263W
	正向电压 Vf	1.1V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	ROHS
	长度	6.15mm
	宽度	4.9mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 266A
	最大漏源电压 Vd 40V
	系列 TrenchFET
	包装类型 PowerPAK
	安装类型表面安装
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.0021Ω
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 49.2nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 263W
	正向电压 Vf 1.1V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 ROHS
	长度 6.15mm
	宽度 4.9mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - SQJ140EP-T1_NE3

COO (Country of Origin):: GB

Vishay 功率 MOSFET 可为汽车应用和苛刻环境提供可靠的开关性能和高效运行，确保卓越的电源管理并提升设备长效性。

符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车应用

TrenchFET Gen IV 技术可优化开关特性

低导通电阻可提升总体效率

工作温度范围宽达 -55 至 +175 °C

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