Vishay N沟道 增强模式型 单 MOSFET, Vds=30 V, 3.4 A, P, 表面安装, 6引脚, SIA432BDJ-T1-GE3, SI系列

N
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829-363
制造商零件编号:
SIA432BDJ-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N沟道

产品类型

单 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

3.4A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

P

系列

SI

安装类型

表面安装

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

0.0192Ω

通道模式

增强模式

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

13nC

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

15.6W

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

宽度

2.05mm

标准/认证

RoHS Compliant

高度

0.75mm

长度

2.05mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
DE
Vishay高性能N沟道MOSFET专为在各种应用中实现高效电源管理而设计。其坚固的结构确保在严苛条件下可靠运行。

30V漏源电压便于实现广泛的应用范围

在10V电压下，最大导通电阻为0.0192Ω，提升了功率效率

配置为单一设备，优化了空间和性能

采用TrenchFET技术，具有卓越的开关性能

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