Vishay N沟道增强型单 MOSFET, Vds=30 V, Id=3.4 A, 6针, P, SI系列

N
查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 件）*

RMB1.67

(不含税)

RMB1.89

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 在 2027年10月25日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
1 - 24RMB1.67
25 - 99RMB1.08
100 - 499RMB0.69
500 +RMB0.59

* 参考价格

RS 库存编号:
829-363
制造商零件编号:
SIA432BDJ-T1-GE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

单 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

3.4A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

SI

包装类型

P

安装类型

表面安装

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

0.0192Ω

通道模式

增强模式

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

13nC

最大功耗 Pd

15.6W

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

150°C

宽度

2.05mm

标准/认证

RoHS Compliant

长度

2.05mm

高度

0.75mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
DE
Vishay高性能N沟道MOSFET专为在各种应用中实现高效电源管理而设计。其坚固的结构确保在严苛条件下可靠运行。

30V漏源电压便于实现广泛的应用范围

在10V电压下，最大导通电阻为0.0192Ω，提升了功率效率

配置为单一设备，优化了空间和性能

采用TrenchFET技术，具有卓越的开关性能

相关链接