Vishay N沟道功率 MOSFET, Vds=-20 V, Id=-8 A, 8针, PowerPAK, SI34系列

N
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851-500
制造商零件编号:
SI3493DDV-T1-BE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

功率 MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

-8A

最大漏源电压 Vd

-20V

包装类型

PowerPAK

系列

SI34

安装类型

表面安装

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.024Ω

通道模式

P

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

52.2nC

最大功耗 Pd

375W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

高度

1.04mm

标准/认证

AEC-Q101 Qualified

宽度

5.25mm

长度

6.05mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
DE
Vishay 高性能 P 通道 MOSFET 专为实现高效电源开关应用而设计。其功能确保在不同电压和电流范围内可靠运行。

P 通道 MOSFET 可在 -20 V 下有效工作,具有低导通电阻

可处理高达-32 A的脉冲排放电流,适用于严苛应用

25°C 时的 -7.5 A 连续排放电流额定值便于热管理

栅极源电压容差为±8 V,可在各种电路中增强耐用性

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