制造商编号

Vishay P-通道沟道 P型 MOSFET, Vds=-80 V, -48 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, SQD50P08-28_NE3, SQ系列

RS 库存编号:: 878-894
制造商零件编号:: SQD50P08-28_NE3
制造商:: Vishay

Vishay P-通道沟道 P型 MOSFET, Vds=-80 V, -48 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, SQD50P08-28_NE3, SQ系列

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RS 库存编号:: 878-894
制造商零件编号:: SQD50P08-28_NE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	P-通道
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	-48A
	最大漏源电压 Vd	-80V
	包装类型	TO-252
	系列	SQ
	安装类型	表面安装
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	0.028Ω
	通道模式	P
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	95nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	-1.5V
	最大功耗 Pd	136W
	最高工作温度	175°C
	长度	6.22mm
	标准/认证	RoHS
	宽度	6.73mm
	高度	2.38mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 P-通道
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id -48A
	最大漏源电压 Vd -80V
	包装类型 TO-252
	系列 SQ
	安装类型表面安装
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 0.028Ω
	通道模式 P
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 95nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf -1.5V
	最大功耗 Pd 136W
	最高工作温度 175°C
	长度 6.22mm
	标准/认证 RoHS
	宽度 6.73mm
	高度 2.38mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - SQD50P08-28_NE3

COO (Country of Origin):: GB

Vishay P通道MOSFET性能卓越，最大漏源电压达80 V，额定工作温度高达175°C。该组件专为提升汽车应用效率而设计。

无卤素，符合 IEC 61249-2-21 标准

通过AEC-Q101认证，符合汽车级可靠性标准

最大连续漏极电流48A，峰值可达190A

在 VGS = -10 V 条件下，优化后的 RDS(on) 为 0.028Ω

符合RoHS指令2002/95/EC

Vishay P-通道沟道 P型 MOSFET, Vds=-80 V, -48 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, SQD50P08-28_NE3, SQ系列

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