Vishay P-通道沟道 P型 MOSFET, Vds=-60 V, -20 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, SQD19P06-60L_NE3, SQ系列

N

此图片代表整个产品系列，仅供参考。

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 卷，共 1 件）*

RMB12.06

(不含税)

RMB13.63

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 在 2027年1月11日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

Tape(s)
Per Tape
1 - 9RMB12.06
10 - 24RMB7.85
25 - 99RMB4.61
100 - 499RMB4.51
500 +RMB4.41

* 参考价格

RS 库存编号:
878-892
制造商零件编号:
SQD19P06-60L_NE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

槽架类型

P-通道

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

-20A

最大漏源电压 Vd

-60V

系列

SQ

包装类型

TO-252

安装类型

表面安装

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.1Ω

通道模式

P

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

46W

正向电压 Vf

-1.5V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

27nC

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

175°C

宽度

6.73mm

标准/认证

RoHS

高度

2.38mm

长度

6.22mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
GB
Vishay汽车级先进P沟道MOSFET专为汽车应用的高性能需求打造，在极端工况下兼具卓越可靠性与能效表现。

无卤素，符合RoHS指令2002/95/EC要求

通过AEC-Q101认证，提升了汽车级可靠性

漏源击穿电压为-60V，确保稳健运行

最大连续漏极电流为20A，确保高效功率处理能力

相关链接