Vishay P-通道沟道 增强模式型 单 MOSFET, Vds=-60 V, 50 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, SQD50P06-15L_NE3, SQD系列
- RS 库存编号:
- 829-351
- 制造商零件编号:
- SQD50P06-15L_NE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB15.69 |
| 10 - 24 | RMB10.20 |
| 25 - 99 | RMB6.08 |
| 100 - 499 | RMB5.88 |
| 500 + | RMB5.79 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 829-351
- 制造商零件编号:
- SQD50P06-15L_NE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | P-通道 | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 50A | |
| 最大漏源电压 Vd | -60V | |
| 系列 | SQD | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0155Ω | |
| 通道模式 | 增强模式 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | -1.5V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 98nC | |
| 最大功耗 Pd | 136W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 6.73mm | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 长度 | 6.22mm | |
| 高度 | 2.38mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 P-通道 | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 50A | ||
最大漏源电压 Vd -60V | ||
系列 SQD | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0155Ω | ||
通道模式 增强模式 | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf -1.5V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 98nC | ||
最大功耗 Pd 136W | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 6.73mm | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
长度 6.22mm | ||
高度 2.38mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- GB
专为汽车应用设计的Vishay高性能功率MOSFET。该设备性能稳健，即使在严苛条件下也能确保稳定运行。
TrenchFET技术助力实现高效电源管理
低热阻封装提升了散热性能
经过R和UIS全面测试，确保可靠性
通过AEC-Q101认证，符合汽车安全标准