Vishay N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=330 A, 8针, PowerPAK SO-8L, SQ系列

N
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RS 库存编号:
878-895
制造商零件编号:
SQJ138EP-T1_NE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

330A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

SQ

包装类型

PowerPAK SO-8L

安装类型

表面安装

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.028Ω

通道模式

N

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

58nC

最大功耗 Pd

312W

正向电压 Vf

1.1V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

175°C

长度

5mm

宽度

6.25mm

高度

1.1mm

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
GB
Vishay汽车级N沟道MOSFET专为高效应对多变电压应用而设计，即使在高温等严苛工况下，也能确保稳健性能。

TrenchFET第四代技术优化了开关特性和能效

额定最大漏源电压为40V，应用潜力广泛

在10V电压下导通电阻低至0.0018Ω，能够有效降低功耗

符合AEC-Q101标准，确保在汽车环境中的可靠性

通过100% R 和 UIS 测试，确保高质量和可靠性

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