制造商编号

Vishay N沟道 N型 MOSFET, Vds=40 V, 330 A, PowerPAK SO-8L, 表面安装, 8引脚, SQJ138EP-T1_NE3, SQ系列

RS 库存编号:: 878-895
制造商零件编号:: SQJ138EP-T1_NE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道 N型 MOSFET, Vds=40 V, 330 A, PowerPAK SO-8L, 表面安装, 8引脚, SQJ138EP-T1_NE3, SQ系列

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RS 库存编号:: 878-895
制造商零件编号:: SQJ138EP-T1_NE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N沟道
	最大连续漏极电流 Id	330A
	最大漏源电压 Vd	40V
	包装类型	PowerPAK SO-8L
	系列	SQ
	安装类型	表面安装
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.028Ω
	通道模式	N
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	312W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	58nC
	正向电压 Vf	1.1V
	最高工作温度	175°C
	长度	5mm
	标准/认证	RoHS
	宽度	6.25mm
	高度	1.1mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N沟道
	最大连续漏极电流 Id 330A
	最大漏源电压 Vd 40V
	包装类型 PowerPAK SO-8L
	系列 SQ
	安装类型表面安装
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.028Ω
	通道模式 N
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 312W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 58nC
	正向电压 Vf 1.1V
	最高工作温度 175°C
	长度 5mm
	标准/认证 RoHS
	宽度 6.25mm
	高度 1.1mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - SQJ138EP-T1_NE3

COO (Country of Origin):: GB

Vishay汽车级N沟道MOSFET专为高效应对多变电压应用而设计，即使在高温等严苛工况下，也能确保稳健性能。

TrenchFET第四代技术优化了开关特性和能效

额定最大漏源电压为40V，应用潜力广泛

在10V电压下导通电阻低至0.0018Ω，能够有效降低功耗

符合AEC-Q101标准，确保在汽车环境中的可靠性

通过100% R 和 UIS 测试，确保高质量和可靠性

Vishay N沟道 N型 MOSFET, Vds=40 V, 330 A, PowerPAK SO-8L, 表面安装, 8引脚, SQJ138EP-T1_NE3, SQ系列

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