Vishay N沟道 N型 MOSFET, Vds=40 V, 130 A, PowerPAK SO-8L, 表面安装, 8引脚, SQJ144EP-T1_BE3, SQ系列

N
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878-896
制造商零件编号:
SQJ144EP-T1_BE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N沟道

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

130A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

SQ

包装类型

PowerPAK SO-8L

安装类型

表面安装

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.0046Ω

通道模式

N

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

26nC

正向电压 Vf

1.1V

最大功耗 Pd

148W

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

高度

1.1mm

长度

5mm

宽度

6.25mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
TW
Vishay汽车级N沟道MOSFET专为高性能开关应用设计，可在各类严苛环境中提供可靠的性能。它采用紧凑的PowerPAK SO-8L封装，确保高效电源管理。

TrenchFET Gen IV 技术可优化开关特性

通过AEC-Q101认证，符合汽车级可靠性与性能标准

100% 通过R 和 UIS 测试，更加耐用

10V电压下，漏源导通电阻最小值为0.0046Ω

连续漏极电流额定值高达130A

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